Original title: Charakteristiky polovodičového BSE detektoru elektronového mikroskopu
Translated title: Characteristics of semiconductor BSE electron microscope detector
Authors: Plot, Vítězslav ; Hubálek, Jaromír (referee) ; Boušek, Jaroslav (advisor)
Document type: Master’s theses
Year: 2023
Language: cze
Publisher: Vysoké učení technické v Brně. Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií
Abstract: [cze] [eng]
Práce se zabývá charakterizací polovodičového detektoru zpětně odražených elektronů. Teoretická část popisuje dva typy elektronových mikroskopů, interakci primárního svazku se vzorkem a jednotlivé druhy elektronů a záření vznikající při interakci. Dále jsou shrnuty nejpoužívanější typy detektorů elektronů v rastrovacím elektronovém mikroskopu. Jsou popsány základní charakteristiky polovodičového detektoru zpětně odražených elektronů a metody jejich měření. Experimentální část se zabývá měřením charakteristik detektoru firmy Delong Instruments a jeho porovnáním s komerčně dostupnými detektory. Bylo provedeno měření voltampérové charakteristiky a proudu za temna, závislosti zisku na urychlovacím napětí a také časové odezvy detektoru. The thesis deals with the characterization of a semiconductor detector of backscattered electrons. The theoretical part describes two types of electron microscopes, the interaction of the primary beam with the sample and individual types of electrons and radiation arising during the interaction. The most used types of electron detectors in scanning electron microscope are summarized. The basic characteristics of the semiconductor backscattered electron detector and their measurement methods are described. The experimental part deals with measuring the characteristics of the detector made by Delong Instruments and comparing it with commercially available detectors. Volt-ampere characteristic and dark current, the dependence of the gain on the accelerating voltage, as well as the time response of the detector were measured.
Keywords: backscattered electrons; detector characterization; detector gain; Electron microscope; semiconductor detector; time response; volt-ampere characteristic; charakterizace detektoru; Elektronový mikroskop; polovodičový detektor; voltampérová charakteristika; zisk detektoru; zpětně odražené elektrony; časová odezva

Institution: Brno University of Technology (web)
Document availability information: Fulltext is available in the Brno University of Technology Digital Library.
Original record: http://hdl.handle.net/11012/210021

Permalink: http://www.nusl.cz/ntk/nusl-526526


The record appears in these collections:
Universities and colleges > Public universities > Brno University of Technology
Academic theses (ETDs) > Master’s theses