Název: Estimating The Power Bjt Excess Charge Recombination Time Constant
Autoři: Mikláš, Ján
Typ dokumentu: Příspěvky z konference
Jazyk: eng
Nakladatel: Vysoké učení technické v Brně, Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií
Abstrakt: The paper demonstrates an experimental way of estimating the excess minority carriers charge stored within the the power bipolar transistor in the saturation mode, i.e. with both junctions forward-biased, as a reference to future IGBT switching action analysis. The method is based on analyzing the transient turn-off base current waveforms at different conditions right before this event. The base current is known to supply the minority carriers within the device. Estimating the recombination time constant serves as a basal precondition for further identification of the excess charge storage depending on various operating conditions and retrospectively an accurate identification of power BJT and IGBT various partial stage of switching action.
Klíčová slova: excess charge storage; IGBT; power BJT; saturation; switching process measurement
Zdrojový dokument: Proceedings I of the 26st Conference STUDENT EEICT 2020: General papers, ISBN 978-80-214-5867-3

Instituce: Vysoké učení technické v Brně (web)
Informace o dostupnosti dokumentu: Plný text je dostupný v Digitální knihovně VUT.
Původní záznam: http://hdl.handle.net/11012/200609

Trvalý odkaz NUŠL: http://www.nusl.cz/ntk/nusl-447661


Záznam je zařazen do těchto sbírek:
Školství > Veřejné vysoké školy > Vysoké učení technické v Brně
Konferenční materiály > Příspěvky z konference