Název: Mapping of dopants by electron injection
Autoři: Hovorka, Miloš ; Konvalina, Ivo ; Frank, Luděk
Typ dokumentu: Příspěvky z konference
Konference/Akce: International Seminar on Recent Trends in Charged Particle Optics and Surface Physics Instrumentation /12./, Skalský dvůr (CZ), 2010-05-31 / 2010-06-04
Rok: 2010
Jazyk: eng
Abstrakt: Dopants in silicon structures locally modify the secondary electron emission, revealing in this way their distribution over the sample. Primary electron beam with energy around 1 keV is usually used for probing the doped structures. However, very low landing energy range has proved itself an efficient tool for mapping dopants in semiconductors.
Klíčová slova: mapping dopants; secondary electron emission; silicon structures; very low energy range
Číslo projektu: CEZ:AV0Z20650511 (CEP), GP102/09/P543 (CEP), IAA100650803 (CEP)
Poskytovatel projektu: GA ČR, GA AV ČR
Zdrojový dokument: Proceedings of the 12th International Seminar on Recent Trends in Charged Particle Optics and Surface Physics Instrumentation, ISBN 978-80-254-6842-5

Instituce: Ústav přístrojové techniky AV ČR (web)
Informace o dostupnosti dokumentu: Dokument je dostupný v příslušném ústavu Akademie věd ČR.
Původní záznam: http://hdl.handle.net/11104/0190598

Trvalý odkaz NUŠL: http://www.nusl.cz/ntk/nusl-41919


Záznam je zařazen do těchto sbírek:
Věda a výzkum > AV ČR > Ústav přístrojové techniky
Konferenční materiály > Příspěvky z konference