Název:
Characterization Of Aln Thin Films Deposited On Thermally Processed Silicon Substrates Using Pe-Ald
Autoři:
Dallaev, Rashid Typ dokumentu: Příspěvky z konference
Jazyk:
eng
Nakladatel: Vysoké učení technické v Brně, Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií
Abstrakt:
The aim of this work is to study topography and chemical composition of AlN thin films deposited on Si substrates previously exposed to various time of thermal processing using plasma-enhanced atomic layer deposition technique. The samples were heated up to 500 °C for the period of 2 and 4 hours. Chemical composition of wafers and the films obtained are provided by Xray photoelectron spectroscopy (XPS). Surface topography was investigated using atomic force microscopy (AFM).
Klíčová slova:
aluminum nitride; atomic force microscopy; atomic layer deposition; Si single crystal wafers; topography; x-ray photoelectron spectroscopy Zdrojový dokument: Proceedings of the 25st Conference STUDENT EEICT 2019, ISBN 978-80-214-5735-5
Instituce: Vysoké učení technické v Brně
(web)
Informace o dostupnosti dokumentu:
Plný text je dostupný v Digitální knihovně VUT. Původní záznam: http://hdl.handle.net/11012/186763