Název: Optimalizace zařízení pro přípravu GaN nanostruktur
Překlad názvu: Optimization of devices for deposition GaN nanostructures
Autoři: Šimek, Daniel ; Voborný, Stanislav (oponent) ; Mach, Jindřich (vedoucí práce)
Typ dokumentu: Bakalářské práce
Rok: 2019
Jazyk: cze
Nakladatel: Vysoké učení technické v Brně. Fakulta strojního inženýrství
Abstrakt: [cze] [eng]

Klíčová slova: emise elektronů; Fowler-Nordheimova teorie; GaN nanokrystaly; koeficient zesílení pole; electron emission; field enhancement factor; Fowler-Nordheim theory; GaN nanocrystals

Instituce: Vysoké učení technické v Brně (web)
Informace o dostupnosti dokumentu: Plný text je dostupný v Digitální knihovně VUT.
Původní záznam: http://hdl.handle.net/11012/179519

Trvalý odkaz NUŠL: http://www.nusl.cz/ntk/nusl-402629


Záznam je zařazen do těchto sbírek:
Školství > Veřejné vysoké školy > Vysoké učení technické v Brně
Vysokoškolské kvalifikační práce > Bakalářské práce
 Záznam vytvořen dne 2019-08-26, naposledy upraven 2022-09-04.


Není přiložen dokument
  • Exportovat ve formátu DC, NUŠL, RIS
  • Sdílet