Název:
Interakce pomalých elektronů s grafenovými polem řízenými tranzistory
Překlad názvu:
Interaction of low-energy electrons with graphene field effect transistors
Autoři:
Vysocký, Filip ; Kunc, Jan (oponent) ; Čechal, Jan (vedoucí práce) Typ dokumentu: Diplomové práce
Rok:
2019
Jazyk:
cze
Nakladatel: Vysoké učení technické v Brně. Fakulta strojního inženýrství
Abstrakt: [cze][eng]
Tato diplomová práce se zaměřuje na přípravu grafenových polem řízených tranzistorů, charakterizaci jejich transportních vlastností v UHV podmínkách a popis vlivu svazku nízkoenergiových elektronů na transportní vlastnosti těchto přístrojů. Teoretická část práce pojednává o metodách výroby grafenu, jejich přenosu na cílový substrát k přípravě grafenových polem řízených tranzistorů, dále jsou zde popsány modely dotování grafenu založené na elektrostatické interakci a osvitu svazkem fotonů nebo elektronů. Experimentální část práce je založena na přípravě grafenových polem řízených tranzistorů k popisu změn transportních vlastností těchto systémů vlivem dotování grafenových vrstev nízkoenergiovým svazkem elektronů v závislosti na energii a proudu svazku.
This diploma thesis is focused on fabrication of graphene field-effect transistors, characterisation of their transport properties and investigation of low-energy electron beam influence on the devices' properties under UHV conditions. The theoretical part of this work describes graphene fabrication methods, options of graphene transfer onto the substrates for graphene field-effect transistor manufacture. Furthermore, model of graphene doping via electrostatic interaction or photon, resp. electron beam exposition is explained. The experimental part of this work consist of manufacture of the graphene field-effect transistor in order to examine the change of its transport properties induced by doping of the graphene via low-energy electron beam exposition.
Klíčová slova:
CVD; dotování; elektronový svazek; FET; Grafen; transportní vlastnosti; CVD; doping; electron beam; FET; Graphene; transport properties
Instituce: Vysoké učení technické v Brně
(web)
Informace o dostupnosti dokumentu:
Plný text je dostupný v Digitální knihovně VUT. Původní záznam: http://hdl.handle.net/11012/179133