Název: Naprašované vrstvy SiNx:H s leptáním mono-Si povrchu v plazmatickém H2
Překlad názvu: Sputtered coatings of SiNx:H on H2 plasma etched mono-Si substrate
Autoři: Hégr, O. ; Boušek, J. ; Fořt, Tomáš ; Sobota, Jaroslav ; Vavruňková, V. ; Bařinka, R. ; Poruba, A.
Typ dokumentu: Příspěvky z konference
Konference/Akce: Česká fotovoltaická konference /3./, Brno (CZ), 2008-11-03 / 2008-11-05
Rok: 2008
Jazyk: cze
Abstrakt: [cze] [eng]
Příspěvek se zabývá čištěním, aktivací a schopností hydrogenace povrchu monokrystalického křemíku plazmatickým leptáním. Za použití vstupních plynů Ar/H2 je možné na křemíkovém povrchu iniciovat chemické reakce působící podobně, jako je tomu při použití standardního chemického leptacího roztoku. Proces je kombinován s depozicí vrstev SiNx:H nanášených na povrch leptaný v plasmě. The paper deals with cleaning, activation and ability of hydrogenation of monocrystalline silicon surface with the help of plasma etching in H2. Using the input gases Ar/H2 it is possible to initiate silicon surface chemical reactions acting similar to a standard chemical etching. The process is combined with deposition of SiNx:H layers on plasma etched substrate.
Klíčová slova: FTIR; magnetron sputtering; MW-PCD; passivation layer; SiNx:H
Číslo projektu: CEZ:AV0Z20650511 (CEP)
Zdrojový dokument: Sborník příspěvků ze 3. České fotovoltaické konference, ISBN 978-80-254-3528-1

Instituce: Ústav přístrojové techniky AV ČR (web)
Informace o dostupnosti dokumentu: Dokument je dostupný v příslušném ústavu Akademie věd ČR.
Původní záznam: http://hdl.handle.net/11104/0172537

Trvalý odkaz NUŠL: http://www.nusl.cz/ntk/nusl-40216


Záznam je zařazen do těchto sbírek:
Věda a výzkum > AV ČR > Ústav přístrojové techniky
Konferenční materiály > Příspěvky z konference