Název:
Naprašované vrstvy SiNx:H s leptáním mono-Si povrchu v plazmatickém H2
Překlad názvu:
Sputtered coatings of SiNx:H on H2 plasma etched mono-Si substrate
Autoři:
Hégr, O. ; Boušek, J. ; Fořt, Tomáš ; Sobota, Jaroslav ; Vavruňková, V. ; Bařinka, R. ; Poruba, A. Typ dokumentu: Příspěvky z konference Konference/Akce: Česká fotovoltaická konference /3./, Brno (CZ), 2008-11-03 / 2008-11-05
Rok:
2008
Jazyk:
cze
Abstrakt: [cze][eng] Příspěvek se zabývá čištěním, aktivací a schopností hydrogenace povrchu monokrystalického křemíku plazmatickým leptáním. Za použití vstupních plynů Ar/H2 je možné na křemíkovém povrchu iniciovat chemické reakce působící podobně, jako je tomu při použití standardního chemického leptacího roztoku. Proces je kombinován s depozicí vrstev SiNx:H nanášených na povrch leptaný v plasmě.The paper deals with cleaning, activation and ability of hydrogenation of monocrystalline silicon surface with the help of plasma etching in H2. Using the input gases Ar/H2 it is possible to initiate silicon surface chemical reactions acting similar to a standard chemical etching. The process is combined with deposition of SiNx:H layers on plasma etched substrate.
Klíčová slova:
FTIR; magnetron sputtering; MW-PCD; passivation layer; SiNx:H Číslo projektu: CEZ:AV0Z20650511 (CEP) Zdrojový dokument: Sborník příspěvků ze 3. České fotovoltaické konference, ISBN 978-80-254-3528-1
Instituce: Ústav přístrojové techniky AV ČR
(web)
Informace o dostupnosti dokumentu:
Dokument je dostupný v příslušném ústavu Akademie věd ČR. Původní záznam: http://hdl.handle.net/11104/0172537