Original title:
Scanning Low Energy Electron Microscopy of Doped Silicon at Units of EV
Translated title:
Zobrazení dopovaného křemíku na velmi nízkých energiích pomocí rastrovacího elektronového mikroskopu
Authors:
Hovorka, Miloš ; Mikmeková, Šárka ; Frank, Luděk Document type: Papers Conference/Event: International Seminar on Recent Trends in Charged Particle Optics and Surface Physics Instrumentation /11./, Skalský dvůr (CZ), 2008-07-14 / 2008-07-18
Year:
2008
Language:
eng Abstract:
[eng][cze] Scanning low energy electron microscope equipped with cathode lens was employed in observation of differently doped areas in silicon imaged at units of eV. The phenomena connected with injected charge, contamination and modulation of electron reflectivity are discussed.Rastrovací elektronový mikroskop vybavený katodovou čočkou byl použit pro studium křemíku s různě dopovanými oblastmi, které byly zobrazeny na velmi nízkých energiích (jednotky eV). Jsou diskutovány jevy související s injektovaným nábojem, kontaminací a modulací reflektivity signálních elektronů.
Keywords:
dopant; silicon; SLEEM Project no.: CEZ:AV0Z20650511 (CEP), IAA100650803 (CEP) Funding provider: GA AV ČR Host item entry: Proceedings of the 11th International Seminar on Recent Trends in Charged Particle Optics and Surface Physics Instrumentation, ISBN 978-80-254-0905-3
Institution: Institute of Scientific Instruments AS ČR
(web)
Document availability information: Fulltext is available at the institute of the Academy of Sciences. Original record: http://hdl.handle.net/11104/0165651