Název:
Ultra Low Power Tunable Transconductor
Autoři:
Dabbous, Salma Bay Abo Typ dokumentu: Příspěvky z konference
Jazyk:
eng
Nakladatel: Vysoké učení technické v Brně, Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií
Abstrakt:
This paper presents ultra-Low power (ultra-LP) Low voltage (LV) tunable transconductor (Gm) and its application to implement Gm-C filter. The CMOS structure of the Gm is performed using bulk-driven (BD) MOST technique, thus it can operate with extremely low voltage supply of ±0.3 V using 0.18 μm CMOS process. Moreover, it consumes ultra-LP about 4.9 μW. The simple topology, proper operating range, and tunability make this transconductor attractive. The transconductor and the Gm-C filter have been examined using simulation program Pspice.
Klíčová slova:
Bulk Driven MOST; low power low voltage; transconductor Zdrojový dokument: Proceedings of the 22nd Conference STUDENT EEICT 2016, ISBN 978-80-214-5350-0
Instituce: Vysoké učení technické v Brně
(web)
Informace o dostupnosti dokumentu:
Plný text je dostupný v Digitální knihovně VUT. Původní záznam: http://hdl.handle.net/11012/84022