Original title:
Dynamic Behaviour of the Dopant Contrast in LVSEM
Translated title:
Dynamické chování kontrastu dopantů v LVSEM
Authors:
Mika, Filip ; Frank, Luděk Document type: Papers Conference/Event: Multinational Congress on Microscopy /8./, Prague (CZ), 2007-06-17 / 2007-06-21
Year:
2007
Language:
eng Abstract:
[eng][cze] Contrast between differently doped areas in semiconductors can be observed in the secondary electron emission in a scanning electron microscope. Behaviour of the contrast in dependence on the incident electron dose and energy and on the presence of surface adlayers has been studied on different doped samples. Kontrast mezi rozdílně dopovanými oblastmi polovodiče může být pozorován v rastrovacím elektronové mikroskopu v signálu sekundárních elektronů. Na různě dopovaných vzorcích bylo studováno chování kontrastu v závislosti na dávce dopadajících elektronů, jejich energii a přítomnosti vrstvy nad povrchem polovodiče.
Keywords:
dopant contrast; LVSEM; secondary electrons Project no.: CEZ:AV0Z20650511 (CEP), GA102/05/2327 (CEP) Funding provider: GA ČR Host item entry: Proceedings of the 8th Multinational Congress on Microscopy, ISBN 978-80-239-9397-4
Institution: Institute of Scientific Instruments AS ČR
(web)
Document availability information: Fulltext is available at the institute of the Academy of Sciences. Original record: http://hdl.handle.net/11104/0152868