Název: Studium transportních jevů v polovodičích na bázi GaAs/AlGaAs pro měření spinového Hallova jevu
Překlad názvu: Investigation of transport phenomena in GaAs/AlGaAs based materials for measurements of the spin Hall effect
Autoři: Darebník, Peter ; Němec, Petr (vedoucí práce) ; Reichlová, Helena (oponent)
Typ dokumentu: Bakalářské práce
Rok: 2014
Jazyk: cze
Abstrakt: [cze] [eng]
Název práce: Studium transportních jevů v polovodičích na bázi GaAs/AlGaAs pro měření spinového Hallova jevu Autor: Peter Darebník Katedra / Ústav: Katedra chemické fyziky a optiky Vedoucí bakalářské práce: doc. RNDr. Petr Němec, Ph.D. Abstrakt: Obsahem této práce je studium transportních jevů v polovodičových strukturách na bázi GaAs/AlGaAs. Tyto heterostruktury se dnes již běžně využívají ke studiu spinového Hallova jevu v pevných látkách, který je možno z části považovat za transportní jev, a proto je důležité znát transportní charakteristiky těchto struktur. Zejména se zaměříme na určení elektronové/děrové pohyblivosti, jelikož tento parametr charakterizuje míru rozptylu ve studovaném materiálu. Cílem je určit, jak se bude mobilita měnit za různých teplot v systému, jehož rozměry jsou srovnatelné se střední volnou dráhou elektronů. Část práce je také věnována teoretickému popisu studovaných jevů a popisu technologie výroby výše uvedených heterostruktur. Klíčová slova: elektron, spin, Drudeho model, 2DEG, GaAs/AlGaAs heterostruktury Title: Investigation of transport phenomena in GaAs/AlGaAs based materials for measurements of the spin Hall effect Author: Peter Darebník Department: Department of Chemical Physics and Optics Supervisor: doc. RNDr. Petr Němec, Ph.D. Abstract: The content of this thesis is the study of transport phenomena in semiconducting structures based on GaAs/AlGaAs. These heterostructures are nowadays widely used for the study of the spin Hall effect, which can be partly considered a transport phenomenon, and it is therefore important to know the transport characteristics of these structures. We will mainly be focusing on electron/hole mobility since this parameter characterizes the scattering rate in the studied material. Our goal is to determine how the mobility will change at different temperatures in a system, which dimensions are comparable to the mean free path of electrons. Part of this thesis is dedicated to theoretical description of the studied phenomena and to the description of manufacturing technology of aforementioned heterostructures. Keywords: electron, spin, Drude model, 2DEG, GaAs/AlGaAs heterostructures

Instituce: Fakulty UK (VŠKP) (web)
Informace o dostupnosti dokumentu: Dostupné v digitálním repozitáři UK.
Původní záznam: http://hdl.handle.net/20.500.11956/72534

Trvalý odkaz NUŠL: http://www.nusl.cz/ntk/nusl-341654


Záznam je zařazen do těchto sbírek:
Školství > Veřejné vysoké školy > Univerzita Karlova > Fakulty UK (VŠKP)
Vysokoškolské kvalifikační práce > Bakalářské práce