Název:
Influence of rare-earth elements on InP-based semiconductor structures for radiation detectors
Autoři:
Grym, Jan ; Procházková, Olga Typ dokumentu: Příspěvky z konference Konference/Akce: Workshop 2002, Prague (CZ), 2002-02-11 / 2002-02-13
Rok:
2002
Jazyk:
eng
Edice: CTU Reports., svazek: Vol. 5, 2002 Sp. Issue
Abstrakt: Preparation and characterization of InP epitaxial layers with Tb admixture in the growth melt is reported. Structural, electrical and optical properties of InP layers exhibit a signaficant dependence on the presence of Tb and its concentration in the melt. When increasing the concentration of Tb in the growth melt the reversal of electrical conductivity occurs.
Klíčová slova:
III-V semiconductors; liquid phase epitaxial growth; rare earth elements Číslo projektu: CEZ:AV0Z2067918 (CEP), KSK1010104 Projekt 04/01:4043 (CEP), 300106513 Poskytovatel projektu: GA AV ČR, GA MŠk Zdrojový dokument: Proceedings of Workshop 2002
Instituce: Ústav fotoniky a elektroniky AV ČR
(web)
Informace o dostupnosti dokumentu:
Dokument je dostupný v příslušném ústavu Akademie věd ČR. Původní záznam: http://hdl.handle.net/11104/0114223