Original title:
Micro and nanopores formation in A.sup.3./sup. B.sup.5./sup. semiconductors
Translated title:
Tvorba mikro a nanoporů v polovodičích A.sup.3./sup. B.sup.5./sup
Authors:
Nohavica, Dušan ; Gladkov, Petar ; Zelinka, Jiří ; Dvořák, Martin ; Pirov, J. Document type: Papers Conference/Event: Nano'04., Brno (CZ), 2004-10-13 / 2004-10-15
Year:
2004
Language:
eng Abstract:
[eng][cze] Electrochemically etched pores are accessible also in A.sup.3./sup. B.sup.5./sup. semiconductors. In particular, pores in InP, GaAs and GaP have been investigated in our laboratory. More complex experimental data have been collected for InP which is suitable for the preparation almost self organized pores net. Pores multilayer containing current oriented and/or crystallographic pores was prepared and some details of the process are discussed. The GaAs and GaP demonstrate both, current oriented and crystallographic pores as well with specific differences.Elektrochemicky lze vytvářet pory take v polovodičích A.sup.3./sup. B.sup.5./sup.. Konkrétně byly v naší laboratoři studovány podmínky přípravy porů v InP, GaAs a GaP. Nejúplnější soubor výsledků byl shromážděn v případě InP, který umožňuje přípravu téměř dokonale samoorganizovaných mikroporů. Byly připraveny i struktury vícenásobné, kombinující krystalografické a proudové pory. Jsou uvedeny i podrobnosti vedoucí k přípravě různě orientovaných krystalografických porů. Roněž v GaAs a GaP existují oba typy porů, ale v jejich pravidelnosti existují specifické rozdíly.
Keywords:
III-V semiconductors; porous semiconductors Project no.: CEZ:AV0Z2067918 (CEP), ME 610, ME 697 Funding provider: GA MŠk, GA MŠk Host item entry: Proceedings of the International Conference NANO'2004, ISBN 80-214-2793-0
Institution: Institute of Photonics and Electronics AS ČR
(web)
Document availability information: Fulltext is available at the institute of the Academy of Sciences. Original record: http://hdl.handle.net/11104/0112062