Original title: Kvantitativní studium hustoty rozložení dopantu v polovodiči pomocí emise sekundárních elektronů
Translated title: Quantitative 2D dopant profiling in semiconductor by the secondary electron emission
Authors: Mika, Filip
Document type: Papers
Conference/Event: PDS 2004, Brno (CZ), 2005-03-15
Year: 2005
Language: cze
Abstract: [cze] [eng]
Tématem práce je výzkum jedné vrstvy polovodičové struktury s ohraničenými dopovanými oblastmi pomocí HV a UHV rastrovacího mikroskopu. Cílem práce je prozkoumat tvorbu kontrastu v polovodičích, identifikovat faktory, které ji ovlivňují, a nalézt optimální podmínky zobrazení dopovaných oblastí pro získání závislosti mezi kontrastem a hustotou příměsí. The topic of work is study of semiconductor structure with defined doped areas by SEM with slow electrons, under ultra-high vacuum and standard vacuum conditions.The aim is to find optimal conditions of imaging doped areas and find out the dependence between contrast and doping density.
Keywords: dopant; se contrast; semiconductor
Project no.: KJB2065301 (CEP)
Funding provider: GA AV ČR
Host item entry: PDS 2004 - Sborník prací doktorandů oboru Elektronové optiky, ISBN 80-239-4561-0

Institution: Institute of Scientific Instruments AS ČR (web)
Document availability information: Fulltext is available at the institute of the Academy of Sciences.
Original record: http://hdl.handle.net/11104/0111292

Permalink: http://www.nusl.cz/ntk/nusl-31952


The record appears in these collections:
Research > Institutes ASCR > Institute of Scientific Instruments
Conference materials > Papers