Original title:
Kvantitativní studium hustoty rozložení dopantu v polovodiči pomocí emise sekundárních elektronů
Translated title:
Quantitative 2D dopant profiling in semiconductor by the secondary electron emission
Authors:
Mika, Filip Document type: Papers Conference/Event: PDS 2004, Brno (CZ), 2005-03-15
Year:
2005
Language:
cze Abstract:
[cze][eng] Tématem práce je výzkum jedné vrstvy polovodičové struktury s ohraničenými dopovanými oblastmi pomocí HV a UHV rastrovacího mikroskopu. Cílem práce je prozkoumat tvorbu kontrastu v polovodičích, identifikovat faktory, které ji ovlivňují, a nalézt optimální podmínky zobrazení dopovaných oblastí pro získání závislosti mezi kontrastem a hustotou příměsí.The topic of work is study of semiconductor structure with defined doped areas by SEM with slow electrons, under ultra-high vacuum and standard vacuum conditions.The aim is to find optimal conditions of imaging doped areas and find out the dependence between contrast and doping density.
Keywords:
dopant; se contrast; semiconductor Project no.: KJB2065301 (CEP) Funding provider: GA AV ČR Host item entry: PDS 2004 - Sborník prací doktorandů oboru Elektronové optiky, ISBN 80-239-4561-0
Institution: Institute of Scientific Instruments AS ČR
(web)
Document availability information: Fulltext is available at the institute of the Academy of Sciences. Original record: http://hdl.handle.net/11104/0111292