Název:
Kvantitativní studium hustoty rozložení dopantu v polovodiči pomocí emise sekundárních elektronů
Překlad názvu:
Quantitative 2D dopant profiling in semiconductor by the secondary electron emission
Autoři:
Mika, Filip Typ dokumentu: Příspěvky z konference Konference/Akce: PDS 2004, Brno (CZ), 2005-03-15
Rok:
2005
Jazyk:
cze
Abstrakt: [cze][eng] Tématem práce je výzkum jedné vrstvy polovodičové struktury s ohraničenými dopovanými oblastmi pomocí HV a UHV rastrovacího mikroskopu. Cílem práce je prozkoumat tvorbu kontrastu v polovodičích, identifikovat faktory, které ji ovlivňují, a nalézt optimální podmínky zobrazení dopovaných oblastí pro získání závislosti mezi kontrastem a hustotou příměsí.The topic of work is study of semiconductor structure with defined doped areas by SEM with slow electrons, under ultra-high vacuum and standard vacuum conditions.The aim is to find optimal conditions of imaging doped areas and find out the dependence between contrast and doping density.
Klíčová slova:
dopant; se contrast; semiconductor Číslo projektu: KJB2065301 (CEP) Poskytovatel projektu: GA AV ČR Zdrojový dokument: PDS 2004 - Sborník prací doktorandů oboru Elektronové optiky, ISBN 80-239-4561-0
Instituce: Ústav přístrojové techniky AV ČR
(web)
Informace o dostupnosti dokumentu:
Dokument je dostupný v příslušném ústavu Akademie věd ČR. Původní záznam: http://hdl.handle.net/11104/0111292