Original title: Kvantitativní studium hustoty rozložení dopantu v polovodiči pomocí emise sekundárních elektronů
Translated title: Quantitative study of density of the dopant configuration in a semiconductor by emission of secondary electrons
Authors: Mika, Filip
Document type: Papers
Conference/Event: PDS 2002, Brno (CZ), 2002-12-16
Year: 2002
Language: cze
Abstract: [cze] [eng]
Tématem práce je studium jedné technologické vrstvy polovodičové struktury s ohraničenými dopovanými oblastmi pomocí rastrovacího mikroskopu s pomalými elektrony, a to jak v ultravysokovakuových, tak i ve standardních vakuových podmínkách. Cílem je nalezení optimálních podmínek zobrazení dopovaných oblastí a získání závislosti mezi kontrastem a hustotou příměsí. The topic of the work is study of one technological layer of semiconductor structure with delimited doped areas by scanning microscope with slow electrons in both ultra-high vacuum and standard vacuum conditions. The aim is to find optimum conditions of imaging of doped areas and to obtain dependence values between the contrast and density of the addition.
Keywords: contrast; low energy SEM; semi-conductor structure
Project no.: CEZ:AV0Z2065902 (CEP), IAA1065901 (CEP)
Funding provider: GA AV ČR
Host item entry: Sborník prací prezentovaných na Semináři doktorandů oboru Elektronová optika konaném dne 16. 12. 2002, ISBN 80-238-9915-5

Institution: Institute of Scientific Instruments AS ČR (web)
Document availability information: Fulltext is available at the institute of the Academy of Sciences.
Original record: http://hdl.handle.net/11104/0101208

Permalink: http://www.nusl.cz/ntk/nusl-29577


The record appears in these collections:
Research > Institutes ASCR > Institute of Scientific Instruments
Conference materials > Papers