Název:
Examination of semiconductor structures with slow electrons
Autoři:
Frank, Luděk ; Müllerová, Ilona Typ dokumentu: Příspěvky z konference Konference/Akce: CSEM, Vranovská Ves (CZ), 2002-02-08 / 2002-02-09
Rok:
2002
Jazyk:
eng
Abstrakt: Possibilities for visualization of the doped areas and variances in the local density of electron states are briefly reviewed. First examples are presented of utilizing very slow electrons in a cathode lens equipped SEM for this purpose. These include acquisition of the doping contrast via secondary electrons and observation of the local energy band structure by means of elastically backscattered electrons.
Klíčová slova:
cathode lens equipped SEM; slow electrons Číslo projektu: CEZ:AV0Z2065902 (CEP), IAA1065901 (CEP) Poskytovatel projektu: GA AV ČR Zdrojový dokument: Proceedings of the 2nd annual meeting of the Czechoslovak microscopy society, ISBN 80-238-8749-1
Instituce: Ústav přístrojové techniky AV ČR
(web)
Informace o dostupnosti dokumentu:
Dokument je dostupný v příslušném ústavu Akademie věd ČR. Původní záznam: http://hdl.handle.net/11104/0101096