Název:
Zdroj napětí pro hradlo výkonového tranzistoru
Překlad názvu:
Voltage source for gate of power transistor
Autoři:
Kořínek, Vladimír ; Kubíček, Michal (oponent) ; Kolka, Zdeněk (vedoucí práce) Typ dokumentu: Bakalářské práce
Rok:
2016
Jazyk:
cze
Nakladatel: Vysoké učení technické v Brně. Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií
Abstrakt: [cze][eng]
Tato bakalářská práce se zabývá možnostmi realizace spínaného zdroje pro buzení hradla výkonového tranzistoru bez použití integrovaných obvodů. Cílem je dosažení co nejjednoduššího a spolehlivého zapojení s využitím invertujícího DC/DC měniče pracujícího v teplotním rozsahu prostředí od -50°C do 80°C.
This bachelor‘s thesis is about possibilities of realisation of boost converter to energize gate of the power transistor without using integrated circuits. My goal is to create the most simple and the most reliable circuit with using an inverting DC/DC converter working in temperature range from -50°C to 80°C.
Klíčová slova:
Cadence OrCad Pspice; DC/DC měnič; invertující; MOSFET; zdroj napětí; Cadence OrCad Pspice; DC/DC converter; inverting; MOSFET; voltage source
Instituce: Vysoké učení technické v Brně
(web)
Informace o dostupnosti dokumentu:
Plný text je dostupný v Digitální knihovně VUT. Původní záznam: http://hdl.handle.net/11012/63039