Original title:
Zdroj napětí pro hradlo výkonového tranzistoru
Translated title:
Voltage source for gate of power transistor
Authors:
Kořínek, Vladimír ; Kubíček, Michal (referee) ; Kolka, Zdeněk (advisor) Document type: Bachelor's theses
Year:
2016
Language:
cze Publisher:
Vysoké učení technické v Brně. Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií Abstract:
[cze][eng]
Tato bakalářská práce se zabývá možnostmi realizace spínaného zdroje pro buzení hradla výkonového tranzistoru bez použití integrovaných obvodů. Cílem je dosažení co nejjednoduššího a spolehlivého zapojení s využitím invertujícího DC/DC měniče pracujícího v teplotním rozsahu prostředí od -50°C do 80°C.
This bachelor‘s thesis is about possibilities of realisation of boost converter to energize gate of the power transistor without using integrated circuits. My goal is to create the most simple and the most reliable circuit with using an inverting DC/DC converter working in temperature range from -50°C to 80°C.
Keywords:
Cadence OrCad Pspice; DC/DC converter; inverting; MOSFET; voltage source; Cadence OrCad Pspice; DC/DC měnič; invertující; MOSFET; zdroj napětí
Institution: Brno University of Technology
(web)
Document availability information: Fulltext is available in the Brno University of Technology Digital Library. Original record: http://hdl.handle.net/11012/63039