Název: Měření lokálních charakteristik paasivních elektrických součástek
Překlad názvu: Measurement of local characteristics of passive electrical devices
Autoři: Šikula, Radek ; Kubánek, David (oponent) ; Tománek, Pavel (vedoucí práce)
Typ dokumentu: Bakalářské práce
Rok: 2011
Jazyk: cze
Nakladatel: Vysoké učení technické v Brně. Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií
Abstrakt: [cze] [eng]
Bakalářská práce je zaměřena na nově koncipované lokální měření charakteristik elektrických, případně optoelektrických součástek. S tím, jak se dle Moorova zákona zmenšují rozměry aktivních součástek na čipech, existují i snahy o odpovídající zmenšování pasivních elektrických součástek, při současném zvyšování, nebo alespoň zachování jejich parametrů. Ukazuje se, že problémy zmenšování jsou spojeny s existencí fyzikálních mezí použitých materiálů a konec konců i s nemožností měření lokálních vlastností součástek pomocí klasických elektrických měřicích metod. Právě v oblasti fyzikálních mezí začínají být vážným problémem defekty v materiálech, které při malých rozměrech součástek mohou značně ovlivnit účinnost, výkon, životnost a spolehlivost zařízení. Měření provedená na pasivních i aktivních součástkách vykazují vyšší rozlišovací schopnost defektů na povrchu vybraných součástek než umožňují stávající metody. 1) Z výsledků měření na kondenzátorech vyplývá, že existuje několik možných příčin, proč u nich dochází k průrazům, např. mechanické defekty, nebo přítomnost nečistoty či krystaly oxidu v dielektriku. 2) Měření provedená na fotodiodě umožnila zviditelnit proud minoritních nosičů a zobrazit jejich dobu života. Navíc se ukazuje, že doba života minoritních nosičů pochází hlavně z objemová rekombinace. Bachelor thesis is focused on the newly conceived local measurement of electrical or photoelectric devices characteristics. According to Moore's law dimensions of active components on the chips diminish. Therefore effort to obtain corresponding reduction of passive electrical components, while improving, or at least maintain their parameters, is also challenged. It turns out that the problems associated with device reducing are connected with existence of physical limits of materials, and ultimately with the impossibility to measure local properties of electrical components using conventional electric methods. Especially in the range of physical limits, a serious problem of defects in materials appears. Due to that the small size components can greatly affect the efficiency, performance, durability and reliability of devices. Measurements made on the passive and active components show a higher resolution of defects on the surface of selected parts than current methods allow. 1) It follows from the results of measurement on capacitors that there are several possible reasons why breakdowns occur, e.g. mechanical defects or the presence of impurities and/ or oxide crystals in the dielectric. 2) Measurements taken at a photodiode allowed visualize minority carriers current, and view their lifetime. Moreover, they also show that the minority carrier lifetime comes mainly from bulk recombination.
Klíčová slova: charakterizace; elektrické součástky; lokální měření; sondové skenovací mikroskopy; characterization; electrical components; local measurement; scanning probe microscopes

Instituce: Vysoké učení technické v Brně (web)
Informace o dostupnosti dokumentu: Plný text je dostupný v Digitální knihovně VUT.
Původní záznam: http://hdl.handle.net/11012/5089

Trvalý odkaz NUŠL: http://www.nusl.cz/ntk/nusl-236280


Záznam je zařazen do těchto sbírek:
Školství > Veřejné vysoké školy > Vysoké učení technické v Brně
Vysokoškolské kvalifikační práce > Bakalářské práce