Název: Omezení defektů v Si substrátech metodou rychlých tepelných procesů
Překlad názvu: Elimination of defects in Si substrates by Rapid Thermal Process application
Autoři: Frantík, Ondřej ; Hégr, Ondřej (oponent) ; Szendiuch, Ivan (vedoucí práce)
Typ dokumentu: Diplomové práce
Rok: 2010
Jazyk: cze
Nakladatel: Vysoké učení technické v Brně. Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií
Abstrakt: [cze] [eng]

Klíčová slova: doba života minoritních nosičů; křemík; křemíkové substráty.; Rychlé tepelné procesy; rychlé tepelné žíhání; Minority carrier lifetime; Rapid Thermal Annealing; Rapid Thermal Process; Si substrate.; Silicon

Instituce: Vysoké učení technické v Brně (web)
Informace o dostupnosti dokumentu: Plný text je dostupný v Digitální knihovně VUT.
Původní záznam: http://hdl.handle.net/11012/17123

Trvalý odkaz NUŠL: http://www.nusl.cz/ntk/nusl-218689


Záznam je zařazen do těchto sbírek:
Školství > Veřejné vysoké školy > Vysoké učení technické v Brně
Vysokoškolské kvalifikační práce > Diplomové práce
 Záznam vytvořen dne 2016-06-03, naposledy upraven 2022-09-04.


Není přiložen dokument
  • Exportovat ve formátu DC, NUŠL, RIS
  • Sdílet