Original title: Omezení defektů v Si substrátech metodou rychlých tepelných procesů
Translated title: Elimination of defects in Si substrates by Rapid Thermal Process application
Authors: Frantík, Ondřej ; Hégr, Ondřej (referee) ; Szendiuch, Ivan (advisor)
Document type: Master’s theses
Year: 2010
Language: cze
Publisher: Vysoké učení technické v Brně. Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií
Abstract: [cze] [eng]

Keywords: Minority carrier lifetime; Rapid Thermal Annealing; Rapid Thermal Process; Si substrate.; Silicon; doba života minoritních nosičů; křemík; křemíkové substráty.; Rychlé tepelné procesy; rychlé tepelné žíhání

Institution: Brno University of Technology (web)
Document availability information: Fulltext is available in the Brno University of Technology Digital Library.
Original record: http://hdl.handle.net/11012/17123

Permalink: http://www.nusl.cz/ntk/nusl-218689


The record appears in these collections:
Universities and colleges > Public universities > Brno University of Technology
Academic theses (ETDs) > Master’s theses
 Record created 2016-06-03, last modified 2022-09-04


No fulltext
  • Export as DC, NUŠL, RIS
  • Share