Název: The DX center in GaAs doped with S, Te and Si under high hydrostatic pressure
Autoři: Zeman, Jan ; Zigone, M. ; Martinez, G.
Typ dokumentu: Příspěvky z konference
Konference/Akce: Annual Meeting of the European High Pressure Research Group /32./, Brno (CZ), 1994-08-29 / 1994-09-01
Rok: 1994
Jazyk: eng
Číslo projektu: GA202/93/1160 (CEP)
Poskytovatel projektu: GA ČR
Zdrojový dokument: Proceedings of the 32nd Annual Meeting of the European High Pressure Research Group - High Pressure in Material Science and Geosience, ISBN 80-85849-93-3

Instituce: Fyzikální ústav AV ČR (web)
Informace o dostupnosti dokumentu: Dokument je dostupný v příslušném ústavu Akademie věd ČR.
Původní záznam: http://hdl.handle.net/11104/0028466

Trvalý odkaz NUŠL: http://www.nusl.cz/ntk/nusl-21757


Záznam je zařazen do těchto sbírek:
Věda a výzkum > AV ČR > Fyzikální ústav
Konferenční materiály > Příspěvky z konference