Název:
Vývoj atomárních a iontových svazkových zdrojů
Překlad názvu:
Development of the Atom and Ion Beam Sources
Autoři:
Tihlařík, Jan ; Voborný, Stanislav (oponent) ; Mach, Jindřich (vedoucí práce) Typ dokumentu: Bakalářské práce
Rok:
2010
Jazyk:
cze
Nakladatel: Vysoké učení technické v Brně. Fakulta strojního inženýrství
Abstrakt: [cze][eng]
Práce se zabývá problematikou tvorby iontových svazků. Je zde popsán vliv iontové optiky na formování svazku a růst ultratenkých vrstev GaN, jakož i optimalizace zdroje k depozici a měření vlastností iontového svazku. V rámci práce byly provedeny depozice GaN ultratenkých vrstev na substrát Si(111)dH za pokojové teploty pro různá nastavení elektrických potenciálů na elektrodách iontově-atomárního zdroje.
This text is oriented for problems of creating ion beams. Thesis also describe the impact of ion optics to ion beam profile and preparing GaN layers. Also ion-atom source optimization and analysis of beam properties are there described. Also it was made deposition of GaN ultrathin layers on Si(111)dH at room temperature for different settings of atom-ion source electric electrodes.
Klíčová slova:
iontově-atomární svazkový zdroj; optimalizace; proudový profil svazku; příprava GaN vrstev; atom-ion beam source; ion beam profile; optimization; preparing GaN layers
Instituce: Vysoké učení technické v Brně
(web)
Informace o dostupnosti dokumentu:
Plný text je dostupný v Digitální knihovně VUT. Původní záznam: http://hdl.handle.net/11012/1738