Název: Metodika nedestruktivního určení koncentračního profilu bóru v Si deskách
Překlad názvu: Methodology of not destructive determination of boron concentration profile in Si wafers
Autoři: Holovský, Jakub ; Remeš, Zdeněk
Typ dokumentu: Metodiky
Rok: 2012
Jazyk: cze
Abstrakt: [cze] [eng]
Byla navržena, teoreticky analyzována, realizována jak po stránce výpočetní, tak po stránce experimentální a nakonec úspěšně odzkoušena nová metoda určování difúzních profilů rychle, nedestruktivně a bezkontaktně pomocí infračervené reflexe. A new method of determination of diffusion profiles in fast, not destructive and contactless (with help of infra-red reflexion) way was designed, theoretically analysed, realized either in computational and in experimental field and finally successfully tested.
Klíčová slova: boron concentration profile; IR reflection; silicon substrate; UV ellipsometry
Číslo projektu: TA01020972 (CEP)
Poskytovatel projektu: GA TA ČR

Instituce: Fyzikální ústav AV ČR (web)
Informace o dostupnosti dokumentu: Dokument je dostupný v příslušném ústavu Akademie věd ČR.
Původní záznam: http://hdl.handle.net/11104/0251279

Trvalý odkaz NUŠL: http://www.nusl.cz/ntk/nusl-200948


Záznam je zařazen do těchto sbírek:
Věda a výzkum > AV ČR > Fyzikální ústav
Analytické a metodické materiály > Metodiky