Original title: Balistická elektronová emisní mikroskopie kvantových InAs teček v AlGaAs/GaAs heterostruktuře
Translated title: Ballistic electron emission microscopy of InAs quantum dots in AlGaAs/GaAs heterostructure
Authors: Vaniš, Jan ; Hulicius, Eduard ; Pangrác, Jiří ; Melichar, Karel ; Walachová, Jarmila
Document type: Papers
Conference/Event: Seminář o metodách blízkého pole /4./, Lázně Bohdaneč (CZ), 2004-10-04 / 2004-10-06
Year: 2004
Language: cze
Abstract: [cze] [eng]
Jsou prezentována balistická elektronová emisní měření InAs/GaAs kvantových teček v AlGaAs/GaAs heterostruktuře. Měřená struktura byla připravena MOCVD technikou. Při měřeních byla analyzována plošná oblast 1 μm.sup.2./sup. Na analyzovaných oblastech byly zviditelněny a změřeny různé velikosti a tvary kvantových teček. Obvyklá velikost kvantových teček byla přibližně 10 nm a méně. Pozorované tvary zřejmě souvisí s hustotou stavů v kvantových tečkách. Ballistic electron emission measurements of InAs/GaAs quantum dots in AlGaAs/GaAs heterostructures are presented in our contribution. Measured heterostructure was prepared by MOCVD technique. The area of 1 μm.sup.2./sup. was analyzed during measurements. Different size and shape of quantum dots on an examined area were vizualized. The average size of quantum dots were 10 nm and less. The observed shapes are probably connected with density of states in quantum dots.
Keywords: ballistic transport; quantum dots; scanning tunneling microscopy
Project no.: KSK1010104 (CEP)
Funding provider: GA AV ČR
Host item entry: Čtvrtý seminář o metodách blízkého pole

Institution: Institute of Photonics and Electronics AS ČR (web)
Document availability information: Fulltext is available at the institute of the Academy of Sciences.
Original record: http://hdl.handle.net/11104/0013110

Permalink: http://www.nusl.cz/ntk/nusl-19983


The record appears in these collections:
Research > Institutes ASCR > Institute of Photonics and Electronics
Conference materials > Papers