host ::
přihlásit
Digitální repozitář
Hledej
Nový záznam
Nápověda
O repozitáři
Hlavní stránka
>
Konferenční materiály
>
Sborníky
> Erbium doped gallium nitride thin films
Informace
Soubory
Název:
Erbium doped gallium nitride thin films
Překlad názvu:
Galium-nitridové vrstvy dopované erbiem
Autoři:
Prajzler, V.
;
Hüttel, I.
;
Špirková, J.
;
Schröfel, J.
;
Machovič, V.
;
Peřina, Vratislav
Typ dokumentu:
Sborníky
Konference/Akce:
CTU Reports Proceedings of Workshop 2004
, Praha (CZ), 2003-02-10 / 2003-02-12
Rok:
2004
Jazyk:
eng
Abstrakt:
[eng]
[cze]
The paper describes the preparation and properties of gallium nitride layers with erbiu content.
Práce pojednává o přípravě a vlastnostech galiumnitridových vrstev s obsahem erbia.
Klíčová slova:
erbium
;
GaN
;
thin films
Číslo projektu:
CEZ:AV0Z1048901
(
CEP
),
GA104/03/0385
(
CEP
)
Poskytovatel projektu:
GA ČR
Instituce:
Ústav jaderné fyziky AV ČR (
web
)
Informace o dostupnosti dokumentu:
Dokument je dostupný v příslušném ústavu Akademie věd ČR.
Původní záznam:
http://hdl.handle.net/11104/0012819
Trvalý odkaz NUŠL:
http://www.nusl.cz/ntk/nusl-19957
Záznam je zařazen do těchto sbírek:
Věda a výzkum
>
AV ČR
>
Ústav jaderné fyziky
Konferenční materiály
>
Sborníky
Záznam vytvořen dne 2011-07-01, naposledy upraven 2024-01-26.
Podobné záznamy
Není přiložen dokument
Exportovat ve formátu
DC
,
NUŠL
,
RIS
Sdílet