Název:
Oxygen Precipitation in CZ Si Wafers after High Temperature
Autoři:
Meduňa, M. ; Caha, O. ; Kuběna, J. ; Kuběna, A. ; Svoboda, Milan ; Buršík, Jiří Typ dokumentu: Příspěvky z konference Konference/Akce: Scientific and Business Conference SILICON 2010 /12./, Rožnov pod Radhoštěm (CZ), 2010-11-02 / 2010-11-05
Rok:
2010
Jazyk:
eng
Abstrakt: In this work we study two stage and three stage annealing processes with application of Tabula rasa. The evolution of precipitates at various phases during annealing process for various temperatures was obtained from series of experimental techniques.
Klíčová slova:
oxygen precipitation; Si wafers Zdrojový dokument: SILICON 2010. 12th Scientific and Business Conference, ISBN 978-80-254-7361-0
Instituce: Ústav fyziky materiálů AV ČR
(web)
Informace o dostupnosti dokumentu:
Dokument je dostupný v příslušném ústavu Akademie věd ČR. Původní záznam: http://hdl.handle.net/11104/0228230