Název: X-ray scattering study of oxide precipitates in Cz-Si
Autoři: Caha, O. ; Meduňa, M. ; Bernatová, S. ; Růžička, J. ; Mikulík, P. ; Buršík, Jiří ; Svoboda, Milan ; Bernstorff, S.
Typ dokumentu: Příspěvky z konference
Konference/Akce: Scientific and Business Conference SILICON 2010 /12./, Rožnov pod Radhoštěm (CZ), 2010-11-02 / 2010-11-05
Rok: 2010
Jazyk: eng
Abstrakt: Two x-ray diffraction methods were used for characterization of the oxide precipitates in Czochralski silicon series of samples. The maping of the diffuse scattering around reciprocal lattice point in Bragg geometry and the simultaneous measurement of the diffracted and transmitted beam intensity in the Laue diffraction geometry.
Klíčová slova: defects; silicon; x-ray
Zdrojový dokument: SILICON 2010. 12th Scientific and Business Conference, ISBN 978-80-254-7361-0

Instituce: Ústav fyziky materiálů AV ČR (web)
Informace o dostupnosti dokumentu: Dokument je dostupný v příslušném ústavu Akademie věd ČR.
Původní záznam: http://hdl.handle.net/11104/0228231

Trvalý odkaz NUŠL: http://www.nusl.cz/ntk/nusl-166323


Záznam je zařazen do těchto sbírek:
Věda a výzkum > AV ČR > Ústav fyziky materiálů
Konferenční materiály > Příspěvky z konference