Název: Growth of InP crystals for radiation detectors and other application
Autoři: Pekárek, Ladislav ; Yatskiv, Roman
Typ dokumentu: Příspěvky z konference
Konference/Akce: Development of Materials Science in Research and Education, Joint Seminar 2008 /18./, Hnanice (CZ), 2008-09-02 / 2008-09-05
Rok: 2008
Jazyk: eng
Abstrakt: Bulk InP single crystals were grown by Czochralski method. Various dopants were added to the melt to obtain single crystals suitable for radiation detectors and other application. The intentionally doped of InP crystals were characterized by measurements of resistivity and Hall coefficient. Prototype detectors were prepared and evaluated by spectral detection of alpha particles and x-rays.
Klíčová slova: crystal growth; InP; radiation detector
Číslo projektu: CEZ:AV0Z20670512 (CEP), KAN400670651 (CEP), GA102/06/0153 (CEP)
Poskytovatel projektu: GA AV ČR, GA ČR
Zdrojový dokument: Proceedings of the 18th Joint seminar Development of materials science in research and education, ISBN 978-80-254-0864-3

Instituce: Ústav fotoniky a elektroniky AV ČR (web)
Informace o dostupnosti dokumentu: Dokument je dostupný v příslušném ústavu Akademie věd ČR.
Původní záznam: http://hdl.handle.net/11104/0187217

Trvalý odkaz NUŠL: http://www.nusl.cz/ntk/nusl-41607


Záznam je zařazen do těchto sbírek:
Věda a výzkum > AV ČR > Ústav fotoniky a elektroniky
Konferenční materiály > Příspěvky z konference
 Záznam vytvořen dne 2011-07-01, naposledy upraven 2024-01-26.


Není přiložen dokument
  • Exportovat ve formátu DC, NUŠL, RIS
  • Sdílet