Název:
Growth of indium phosphide crystals for radiation detectors and other application
Překlad názvu:
Růst krystalů InP pro detektory záření a jiné použití
Autoři:
Pekárek, Ladislav ; Yatskiv, Roman Typ dokumentu: Příspěvky z konference Konference/Akce: Development of Materials Science in Research and Education, Joint Seminar 2008 /18./, Hnanice (CZ), 2008-09-02 / 2008-09-05
Rok:
2008
Jazyk:
eng
Abstrakt: [eng][cze] Bulk InP single crystals were grown by Czochralski method. Various dopants were added to the melt to obtain single crystals suitable for radiation detectors and other application. The intentionally doped of InP crystals were characterized by measurements of resistivity and Hall coefficient. Prototype detectors were prepared and evaluated by spectral detection of alpha particles and x-rays.Monokrystaly indium fosfidu byly připravovány růstem podle metody Czochralského. Do taveniny byly přidávány různé dopanty tak, aby se získaly krystaly vhodné pro detekční účely a jíne aplikace. Krystaly byly charakterizovány měřením Hallova jevu. Byly připraveny prototypy detektorů a vyhodnoceny spektrální detekcí alfa částic a rtg paprsků.
Klíčová slova:
crystal growth; indium phosphide; radiation detection Číslo projektu: CEZ:AV0Z10100520 (CEP), CEZ:AV0Z20670512 (CEP), GA102/06/0153 (CEP) Poskytovatel projektu: GA ČR Zdrojový dokument: Proceedings of the 18th Joint seminar Development of materials science in research and education, ISBN 978-80-254-0864-3
Instituce: Fyzikální ústav AV ČR
(web)
Informace o dostupnosti dokumentu:
Dokument je dostupný v příslušném ústavu Akademie věd ČR. Původní záznam: http://hdl.handle.net/11104/0171106