Název:
Presence of hyrogen peroxide in SnO2 thin films preparation
Překlad názvu:
Přídavek peroxidu vodíku při přípravě tenkých vrstev SnO2
Autoři:
Macalík, M. ; Sedlaříková, M. ; Vondrák, Jiří Typ dokumentu: Příspěvky z konference Konference/Akce: International Conference Advanced Batteries and Accumulators /9./, Brno (CZ), 2008-06-29 / 2008-07-03
Rok:
2008
Jazyk:
eng
Abstrakt: [eng][cze] Tin dioxide, SnO2, is a semiconductor exhibiting good electric conductivity, optical transparency and reflectivity in infrared irradiation. Good transparency is connected to the 3 eV width of the band gap.Přídavek peroxidu vodíku při přípravě tenkých vrstev SnO2.
Klíčová slova:
nanosized or layered material Číslo projektu: CEZ:AV0Z40320502 (CEP) Zdrojový dokument: ABA 2008, ISBN 978-80-214-3659-6
Instituce: Ústav anorganické chemie AV ČR
(web)
Informace o dostupnosti dokumentu:
Dokument je dostupný v příslušném ústavu Akademie věd ČR. Původní záznam: http://hdl.handle.net/11104/0161926