Home > Conference materials > Papers > Vlastnosti InAs/GaAs kvantových teček ve vertikálně korelovaných strukturách s dvěma vrstvami kvantových teček získaných pomocí MOVPE
Original title:
Vlastnosti InAs/GaAs kvantových teček ve vertikálně korelovaných strukturách s dvěma vrstvami kvantových teček získaných pomocí MOVPE
Translated title:
Properties of InAs/GaAs quantum dots in vertically correlated structures with 2 QD layers grown by MOVPE
Authors:
Vyskočil, Jan ; Hospodková, Alice ; Pangrác, Jiří ; Oswald, Jiří ; Mates, Tomáš ; Melichar, Karel ; Šimeček, Tomislav ; Hulicius, Eduard Document type: Papers Conference/Event: Optické vlastnosti pevných látek v základním výzkumu a aplikacích /11./, Brno (CZ), 2006-06-23 / 2006-06-28
Year:
2006
Language:
cze Abstract:
[cze][eng] Studovali jsme tvar QD ve strukturách s vertikálně korelovanými kvantovými tečkami ve dvou vrstvách. Zaměřili jsme se na vliv oddělovací vrstvy na laterální tvar (prodloužení) QD a na intensitu fotoluminiscence.We have studied the shape of QDs in structures with vertically correlated QDs where two layers of QDs were grown. We investigated the influence of spacer thickness on lateral shape (elongation) of QDs and photoluminescence intensity.
Keywords:
GaAs; InAs; MOVPE; quantum dot Project no.: CEZ:AV0Z10100521 (CEP), GA202/06/0718 (CEP), GA202/05/0242 (CEP), LC510 (CEP), LC06040 (CEP), KJB101630601 (CEP) Funding provider: GA ČR, GA ČR, GA MŠk, GA MŠk, GA AV ČR Host item entry: Optické vlastnosti pevných látek v základním výzkumu a aplikacích
Institution: Institute of Physics AS ČR
(web)
Document availability information: Fulltext is available at the institute of the Academy of Sciences. Original record: http://hdl.handle.net/11104/0136927