Název: Asymmetric CO pores etching in A.sup.3./sup. B.sup.5./sup. semiconductors
Překlad názvu: Asymetrie krystalografických pórů v polovodičích A.sup.3./sup. B.sup.5./sup
Autoři: Nohavica, Dušan ; Gladkov, Petar ; Jarchovský, Zdeněk
Typ dokumentu: Příspěvky z konference
Konference/Akce: NANO '05 - NANEMAT, Brno (CZ), 2005-11-08 / 2005-11-10
Rok: 2005
Jazyk: eng
Abstrakt: [eng] [cze]
In the contribution the crucial influence of the (011) planes nonequivalence on pores formation in InP and some other A.sup.3./sup. B.sup.5./sup. semiconductors is demonstrated. In plane (01-1) are three different, crystallographically oriented (CO) sets of pores with three different orientations. In the perpendicular plane (011) triangular crossing points are observable. Heat treatment of the InP plates containing pores produce spherical figures which we have used to decrease the dislocation density in epitaxial layers by mechanism of the ELO. V příspěvku je dokumentována naprostá neekvivalence rovin (011) z hlediska vytváření porů v InP a některých dalších sloučeninách A.sup.3./sup. B.sup.5./sup. . V rovině (01-1) existují tři druhy krystalograficky orientovaných porů s různou orientací. V rovině kolmé, (011) existují pouze trojúhelnikové průsečíky porů s touto rovinou. Tepelným zpracováním InP destiček jsou pory konvertovány do sférických dutin, jejichž laterálním zárustem se daří snižovat hustotu defektů prorůstajících z podložky.
Klíčová slova: III-V semiconductors; indium compounds; porous semiconductors
Číslo projektu: CEZ:AV0Z20670512 (CEP), ME 697
Poskytovatel projektu: GA MŠk
Zdrojový dokument: NANO´05, ISBN 80-214-3085-0

Instituce: Ústav fotoniky a elektroniky AV ČR (web)
Informace o dostupnosti dokumentu: Dokument je dostupný v příslušném ústavu Akademie věd ČR.
Původní záznam: http://hdl.handle.net/11104/0120391

Trvalý odkaz NUŠL: http://www.nusl.cz/ntk/nusl-33420


Záznam je zařazen do těchto sbírek:
Věda a výzkum > AV ČR > Ústav fotoniky a elektroniky
Konferenční materiály > Příspěvky z konference