Název:
Micro and nanopores formation in A.sup.3./sup. B.sup.5./sup. semiconductors
Překlad názvu:
Tvorba mikro a nanoporů v polovodičích A.sup.3./sup. B.sup.5./sup
Autoři:
Nohavica, Dušan ; Gladkov, Petar ; Zelinka, Jiří ; Dvořák, Martin ; Pirov, J. Typ dokumentu: Příspěvky z konference Konference/Akce: Nano'04., Brno (CZ), 2004-10-13 / 2004-10-15
Rok:
2004
Jazyk:
eng
Abstrakt: [eng][cze] Electrochemically etched pores are accessible also in A.sup.3./sup. B.sup.5./sup. semiconductors. In particular, pores in InP, GaAs and GaP have been investigated in our laboratory. More complex experimental data have been collected for InP which is suitable for the preparation almost self organized pores net. Pores multilayer containing current oriented and/or crystallographic pores was prepared and some details of the process are discussed. The GaAs and GaP demonstrate both, current oriented and crystallographic pores as well with specific differences.Elektrochemicky lze vytvářet pory take v polovodičích A.sup.3./sup. B.sup.5./sup.. Konkrétně byly v naší laboratoři studovány podmínky přípravy porů v InP, GaAs a GaP. Nejúplnější soubor výsledků byl shromážděn v případě InP, který umožňuje přípravu téměř dokonale samoorganizovaných mikroporů. Byly připraveny i struktury vícenásobné, kombinující krystalografické a proudové pory. Jsou uvedeny i podrobnosti vedoucí k přípravě různě orientovaných krystalografických porů. Roněž v GaAs a GaP existují oba typy porů, ale v jejich pravidelnosti existují specifické rozdíly.
Klíčová slova:
III-V semiconductors; porous semiconductors Číslo projektu: CEZ:AV0Z2067918 (CEP), ME 610, ME 697 Poskytovatel projektu: GA MŠk, GA MŠk Zdrojový dokument: Proceedings of the International Conference NANO'2004, ISBN 80-214-2793-0
Instituce: Ústav fotoniky a elektroniky AV ČR
(web)
Informace o dostupnosti dokumentu:
Dokument je dostupný v příslušném ústavu Akademie věd ČR. Původní záznam: http://hdl.handle.net/11104/0112062