Název: Preparation of Thin Layers of Ferromagnetic Semiconductors
Autoři: Koštejn, Martin
Typ dokumentu: Sborníky
Konference/Akce: studentská vědecká konference fyziky pevných látek /3./, Dvorská bouda (CZ), 2013-06-28 / 213-07-02
Rok: 2013
Jazyk: eng
Abstrakt: The paper reports on the experiments of preparation Mn diluted in Silicon. These materials are potential ferromagnetic semiconductors. Thin layer have been prepared by reactive pulsed laser deposition of Mn target under small pressure of volatile precursor (silane or germane). We estimate initial temperature 1 mn above surface as 1.9 eV. The prepared layers can contain 1-40% of Mn atoms in form of amorphous mixture of Mn and Si or nano-crystallized mixture of Mn and Ge. High temperature annealing or rapid laser annealing is needed for recrystallization of Mn:Si layers.
Klíčová slova: diluted magnetic semiconductors; pulsed laser deposition; room temperature ferromagnetism
Práva: Dílo je chráněno podle autorského zákona č. 121/2000 Sb.

Instituce: Ústav chemických procesů AV ČR (web)
Původní záznam: http://hdl.handle.net/11104/0242877

Trvalý odkaz NUŠL: http://www.nusl.cz/ntk/nusl-180539


Záznam je zařazen do těchto sbírek:
Věda a výzkum > AV ČR > Ústav chemických procesů
Konferenční materiály > Sborníky