Název: LOW SUPERSATURATION OVERGROWTH OF NANOPOROUS GaAs SUBSTRATES
Autoři: Nohavica, Dušan ; Grym, Jan ; Gladkov, Petar ; Hamplová, Marie
Typ dokumentu: Příspěvky z konference
Konference/Akce: NANOCON 2012. International Conference /4./, Brno (CZ), 2012-10-23 / 2012-10-25
Rok: 2012
Jazyk: eng
Abstrakt: Oriented pore networks in GaAs were created by electrochemical dissolution. Low supersaturation overgrowth of the porous substrates by InxGa1-xAs (x<4%) was realized by Liquid Phase Epitaxy (LPE)
Klíčová slova: Electrochemical etching; Pores conversion; Porous III-V semiconductors
Číslo projektu: GAP108/10/0253 (CEP)
Poskytovatel projektu: GA ČR
Zdrojový dokument: NANOCON 2012, 4th International Conference Proceedings, ISBN 978-80-87294-32-1

Instituce: Ústav fotoniky a elektroniky AV ČR (web)
Informace o dostupnosti dokumentu: Dokument je dostupný v příslušném ústavu Akademie věd ČR.
Původní záznam: http://hdl.handle.net/11104/0216684

Trvalý odkaz NUŠL: http://www.nusl.cz/ntk/nusl-136094


Záznam je zařazen do těchto sbírek:
Věda a výzkum > AV ČR > Ústav fotoniky a elektroniky
Konferenční materiály > Příspěvky z konference