|
|
Měření vlastností bipolárních a unipolárních tranzistorů
Kaňa, Leoš ; Šebesta, Jiří (oponent) ; Dřínovský, Jiří (vedoucí práce)
V rámci zefektivnění měření vlastností tranzistorů, ať už unipolárních (FET) nebo bipolárních (BJT), v laboratorních podmínkách a tím jejich lepší pochopení v rámci probírané látky, je žádoucí mít k dispozici pracoviště respektive přípravek, umožňující tato měření s obměnitelnými měřenými prvky. Práce je zaměřena nejen na návrh a vývoj takovéhoto přípravku, ale zároveň obsahuje stručný popis základních parametrů a vlastností tranzistorů. Dále se práce zabývá realizací programů pro měření statických charakteristik tranzistorů v prostředí programu VEE 8.0 Pro. Výstupem by tedy měla být komplexní laboratorní úloha zaměřená na bipolární a unipolární tranzistory včetně navržených programů. K vývoji DPS přípravku byl použit návrhový systém Eagle. V práci je samozřejmě obsažená i teorie potřebná pro měření a programování měřicích přístrojů. Kromě změny měřeného prvku je zde možnost obměny zapojení tranzistoru v obvodu a to jak pro BJT (SE, SC, SB) tak pro unipolární JFET (SS, SG, SD) tranzistory.
|
|
|
Měření dynamických vlastností bipolárních a unipolárních tranzistorů
Lang, Radek ; Šotner, Roman (oponent) ; Dřínovský, Jiří (vedoucí práce)
Cílem této bakalářské práce je popis dynamických parametrů polovodičových součástek. Dalším cílem je sestavení měřícího pracoviště, na kterém je možné provádět měření dynamických vlastností bipolárních a unipolárních tranzistorů. Práce také řeší návrh a výrobu univerzálního přípravku, na kterém jsou měření prováděna. Samotné měření je automatizované a jednotlivé přístroje připojené na přípravek jsou řízeny a výsledky zpracovávány počítačem.
|
|
|
Návrh napěťových referencí v BiCMOS procesu ONC18
Dušek, Samuel ; Prokop, Roman (oponent) ; Šotner, Roman (vedoucí práce)
Tato bakalářská práce se zabývá návrhem napěťových referencí ve 180 nm technologii firmy ON Semiconductor se zaměřením na co možná nejnižší hodnotu napájecího napětí. V první části této práce jsou uvedeny teoretické předpoklady, které se týkají napěťových referencí. Další část pak představuje vybrané topologie, popisuje jejich funkci a postup při prvotním návrhu. V této části jsou také uvedeny výsledky, kterých bylo dosaženo po prvotním návrhu a po optimalizaci jednotlivých zapojení. Poslední část práce vyhodnocuje nejlepšího zástupce bandgapového etalonu v oblasti napájecího napětí, kde reference typu bandgap již není schopna pracovat.
|
|
|
Měření dynamických vlastností bipolárních a unipolárních tranzistorů
Lang, Radek ; Šotner, Roman (oponent) ; Dřínovský, Jiří (vedoucí práce)
Cílem této bakalářské práce je popis dynamických parametrů polovodičových součástek. Dalším cílem je sestavení měřícího pracoviště, na kterém je možné provádět měření dynamických vlastností bipolárních a unipolárních tranzistorů. Práce také řeší návrh a výrobu univerzálního přípravku, na kterém jsou měření prováděna. Samotné měření je automatizované a jednotlivé přístroje připojené na přípravek jsou řízeny a výsledky zpracovávány počítačem.
|
|
| |
|
|
Měření dynamických vlastností bipolárních a unipolárních tranzistorů
Lang, Radek ; Šotner, Roman (oponent) ; Dřínovský, Jiří (vedoucí práce)
Cílem této bakalářské práce je popis dynamických parametrů polovodičových součástek. Dalším cílem je sestavení měřícího pracoviště, na kterém je možné provádět měření dynamických vlastností bipolárních a unipolárních tranzistorů. Práce také řeší návrh a výrobu univerzálního přípravku, na kterém jsou měření prováděna. Samotné měření je automatizované a jednotlivé přístroje připojené na přípravek jsou řízeny a výsledky zpracovávány počítačem.
|
|
|
Návrh napěťových referencí v BiCMOS procesu ONC18
Dušek, Samuel ; Prokop, Roman (oponent) ; Šotner, Roman (vedoucí práce)
Tato bakalářská práce se zabývá návrhem napěťových referencí ve 180 nm technologii firmy ON Semiconductor se zaměřením na co možná nejnižší hodnotu napájecího napětí. V první části této práce jsou uvedeny teoretické předpoklady, které se týkají napěťových referencí. Další část pak představuje vybrané topologie, popisuje jejich funkci a postup při prvotním návrhu. V této části jsou také uvedeny výsledky, kterých bylo dosaženo po prvotním návrhu a po optimalizaci jednotlivých zapojení. Poslední část práce vyhodnocuje nejlepšího zástupce bandgapového etalonu v oblasti napájecího napětí, kde reference typu bandgap již není schopna pracovat.
|
|
| |
|
|
Měření dynamických vlastností bipolárních a unipolárních tranzistorů
Lang, Radek ; Šotner, Roman (oponent) ; Dřínovský, Jiří (vedoucí práce)
Cílem této bakalářské práce je popis dynamických parametrů polovodičových součástek. Dalším cílem je sestavení měřícího pracoviště, na kterém je možné provádět měření dynamických vlastností bipolárních a unipolárních tranzistorů. Práce také řeší návrh a výrobu univerzálního přípravku, na kterém jsou měření prováděna. Samotné měření je automatizované a jednotlivé přístroje připojené na přípravek jsou řízeny a výsledky zpracovávány počítačem.
|
|
|
Měření vlastností bipolárních a unipolárních tranzistorů
Kaňa, Leoš ; Šebesta, Jiří (oponent) ; Dřínovský, Jiří (vedoucí práce)
V rámci zefektivnění měření vlastností tranzistorů, ať už unipolárních (FET) nebo bipolárních (BJT), v laboratorních podmínkách a tím jejich lepší pochopení v rámci probírané látky, je žádoucí mít k dispozici pracoviště respektive přípravek, umožňující tato měření s obměnitelnými měřenými prvky. Práce je zaměřena nejen na návrh a vývoj takovéhoto přípravku, ale zároveň obsahuje stručný popis základních parametrů a vlastností tranzistorů. Dále se práce zabývá realizací programů pro měření statických charakteristik tranzistorů v prostředí programu VEE 8.0 Pro. Výstupem by tedy měla být komplexní laboratorní úloha zaměřená na bipolární a unipolární tranzistory včetně navržených programů. K vývoji DPS přípravku byl použit návrhový systém Eagle. V práci je samozřejmě obsažená i teorie potřebná pro měření a programování měřicích přístrojů. Kromě změny měřeného prvku je zde možnost obměny zapojení tranzistoru v obvodu a to jak pro BJT (SE, SC, SB) tak pro unipolární JFET (SS, SG, SD) tranzistory.
|
host ::
RSS.