Hlavní stránka > Výsledky hledání: keywords:"Electrochemical etching"
Hledej:
Tipy pro vyhledávaní :: Rozšířené hledání
Hledej ve sbírkách:
Seřadit podle: Zobrazit výsledky: Výstupní formát:
Národní úložiště šedé literatury Nalezeno 13 záznamů.  předchozí11 - 13  přejít na záznam: Hledání trvalo 0.00 vteřin. 
Preparation and analysis of nanostructures in UHV conditions
 Gloss, Jonáš ; Spousta, Jiří (oponent) ; Mach, Jindřich (vedoucí práce)
The purpose of this thesis was to study the preparation and analysis of nanostructures in Ultra High Vacuum (UHV) conditions. The theory section has a strong emphasis on Gallium Nitride (GaN) nanostructures. These were then analyzed by Scanning Tunneling Microscope (STM). In order to be able to analyze prepared samples in UHV STM, electrochemical etching of tungsten wire was carried out. This thesis gives an account on how to obtain tungsten tips for STM. The section dealing with tungsten tip fabrication includes description of electrochemical etching principle. Scanning Electron Microscope (SEM) images of etched tips and their further sharpening by Focused Ion Beam (FIB) was carried out. In this work a method for in-situ UHV STM tip revitalization by electron annealing is proposed. It was concluded that it is possible to routinely obtain tungsten tips with apex radius in the order of nanometers.
Úplný záznam
Význam deformační sítě v oblasti tváření
 Kučera, Radek ; Podaný, Kamil (oponent) ; Peterková, Eva (vedoucí práce)
Cílem této bakalářské práce je vypracování rešerše na téma deformační sítě v oblasti tváření. V práci jsou popsány jednotlivé metody nanášení sítí. Jsou zhodnoceny jejich výhody a nevýhody a využití v praxi. Mimoto je provedeno srovnání nejpoužívanějších způsobů nanášení sítí. Dále je zde uvedena souvislost deformačních sítí s limitními diagramy. Práce také předkládá přehled automatizovaných způsobů analýzy deformačních sítí.
Úplný záznam
LOW SUPERSATURATION OVERGROWTH OF NANOPOROUS GaAs SUBSTRATES
 Nohavica, Dušan ; Grym, Jan ; Gladkov, Petar ; Hamplová, Marie
Oriented pore networks in GaAs were created by electrochemical dissolution. Low supersaturation overgrowth of the porous substrates by InxGa1-xAs (x<4%) was realized by Liquid Phase Epitaxy (LPE)
Úplný záznam

Národní úložiště šedé literatury : Nalezeno 13 záznamů.   předchozí11 - 13  přejít na záznam:
Chcete být upozorněni, pokud se objeví nové záznamy odpovídající tomuto dotazu?
Přihlásit se k odběru RSS.
Digitální repozitář :: Hledej :: Nový záznam :: Personalizace :: Nápověda
Powered by Invenio v1.1.2
Spravuje admin.invenio@techlib.cz
Tato stránka je dostupná také v následujících jazycích:
Česky  English