Národní úložiště šedé literatury Nalezeno 132 záznamů.  začátekpředchozí21 - 30dalšíkonec  přejít na záznam: Hledání trvalo 0.00 vteřin. 
The preparation and characterisation of electrical properties of graphene CVD monocrystals
Hulva, Jan ; Rezek, Bohuslav (oponent) ; Mach, Jindřich (vedoucí práce)
Chemical Vapor Deposition (CVD) of graphene is the method of graphene synthesis capable of producing predominantly single layer graphene of large area. Part of the experimental work of this thesis is focused on the deposition and analysis of single-crystalline graphene domains grown by CVD on a copper foil. These domains are analyzed by the optical microscopy, scanning electron microscopy, atomic force microscopy and Raman spectroscopy. The next part of the work was devoted to iden- tification of defects present on the Cu foil after the deposition of graphene by means of energy dispersive X-ray spectroscopy. The amount of the defects was reduced by the adjustment of the deposition system although not all types of the defects were completely removed. Electronic transport properties of deposited graphene layers were performed in the last part. The results contain measurement of graphene in vacuum with applied back gate voltage and low temperature measurement with applied magnetic field.
Návrh manipulátoru pro ultravakuový elektronový mikroskop
Caesar, Radek ; Mach, Jindřich (oponent) ; Bábor, Petr (vedoucí práce)
Hlavním cílem této bakalářské práce je návrh konstrukce manipulátoru pro ultravakuový elektronový mikroskop (UHV SEM), který je v současné době vyvíjen firmou TESCAN ve spolupráci s Ústavem fyzikálního inženýrství FSI VUT. Tento manipulátor má umožnit manipulaci se vzorky v tzv. přípravné komoře, do níž se vzorky vpravují před jejich umístěním do analytické komory. V přípravné komoře probíhají povrchové a jiné úpravy vzorku. V teoretické části jsou popsány některé technologie, užívané v oblasti vakuové techniky, především různé principy měření tlaku a čerpání vzduchu. Dále je práce zaměřena na stručný popis vyvíjeného UHV SEM a metod přípravy vzorků. Praktická část se zabývá samotným návrhem a popisem konstrukce manipulátoru.
Depozice Ga a GaN nanostruktur na grafenový substrát
Hammerová, Veronika ; Váňa, Rostislav (oponent) ; Mach, Jindřich (vedoucí práce)
Tato diplomová práce se věnuje depozici Ga a GaN struktur na grafenový substrát vyrobený metodou mechanické exfoliace. Mechanická exfoliace byla provedena novou metodou použitím DGL Gel-Filmu s kineticky kontrolovanou adhezí. Gálium je deponované metodou molekulární svazkové epitaxe pomocí efuzní cely za UHV podmínek. Pro vznik GaN bylo nadeponované Ga dále nitridované. Struktury byly zkoumané pomocí optického mikroskopu, SEM, Ramanovy spektroskopie a fotoluminiscence.
Optimalizace iontového zdroje typu Colutron
Horký, Michal ; Mach, Jindřich (oponent) ; Voborný, Stanislav (vedoucí práce)
Bakalářská práce se zabývá návrhem a konstrukcí iontového děla typu Colutron, který vytváří svazek iontů dusíku o energii od desítek až po tisíce eV. V první části práce je stručně popsána problematika tvorby iontů a princip fungování iontového zdroje. Druhá část je věnována úpravě komerčního iontového zdroje americké společnosti Colutron a jeho kompletaci. Parametry iontového svazku pro různé tvary extrakčních elektrod a hodnot provozních parametrů byly experimentálně ověřeny v testovací aparatuře.
Příprava grafenových vrstev metodou MBE
Čalkovský, Martin ; Bábor, Petr (oponent) ; Mach, Jindřich (vedoucí práce)
Tato bakalářská práce se zabývá tvorbou grafenových struktur metodou molekulární svazkové epitaxe (MBE). V teoretické části je stručně popsán materiál grafen, jeho vlastnosti, možnosti výroby a způsoby detekce. Detailněji je provedena rešeršní studie přípravy grafenových struktur metodou MBE. V experimentální části této bakalářské práce je provedena optimalizace sublimačního zdroje atomů uhlíku a proměření jeho vlastností. Dále jsou popsány experimenty přípravy grafenových struktur na Cu a Ge substráty. Přítomnost grafenových struktur je ověřována ramanovou spektroskopií.
Organické materiály pro molekulární kvantové bity: depozice a analýza chemického složení a morfologie vrstev
Komora, Mojmír ; Mach, Jindřich (oponent) ; Čechal, Jan (vedoucí práce)
Táto bakalárska práca sa zaoberá experimentálnou prípravou a analýzou ultratenkých vrstiev železných phtalocyaninov na povrchu kremíkových substrátov s cieľom popísania parametrov vrstiev pri rôznych podmienkách depozície, ako depozičný čas alebo teplota substrátu. Príprava vzoriek prebiehala pomocou metódy MBE vo vakouvej aparatúre za podmienok ultravysokého vákua. Ako analytické metódy na popis chemického zloženia a morfológie pripravených vrstiev boli zvolené metódy röntgenovej fotoelektrónovej spektroskopie, rastrovacej elektrónovej mikroskopie a mikroskopie atomárnych síl.
Schottkyho solární články na rozhraní grafen/křemík
Zahradníček, Radim ; Drbohlavová,, Jana (oponent) ; Mach, Jindřich (vedoucí práce)
Tato práce se zabývá výrobou a charakterizací Schottkyho solárního článku na rozhraní grafen/křemík. Schottkyho solární články byly vyrobeny s přední sběrnou elektrodou ze zlata, stříbra a uhlíku. Na rozhraní grafen/křemík Schottkyho solárního článku byla dále nadeponována mezivrstva Al2O3 resp. SiO2. Za účelem I-V charakterizace vyrobených Schottkyho solárních článků byla sestavena měřicí aparatura.
Příprava grafenových membrán vhodných pro depozici Ga
Severa, Jiří ; Bartošík, Miroslav (oponent) ; Mach, Jindřich (vedoucí práce)
Tato bakalářská práce se zabývá výrobou grafenových membrán, jenž by byly vhodné pro depozici atomů gallia. V první části charakterizujeme grafen. Druhá část je zaměřena na přípravu a zlepšení kvality procesu výroby grafenových vrstev pomocí atomárně hladkých Cu fólií. Ve třetí části jsou popsány grafenové membrány, techniky jejich výroby a specifické aplikace grafenových membrán. Ve čtvrté části je představeno rozhraní mezi galliovými a grafenovými vrstvami. Pátá část je praktická. Byl proveden růst grafenových vrstev na různých Cu fóliích, to vedlo k vyšší kvalitě grafenu rostlých na atomárně hladkých fóliích. Následně byla provedena výroba grafenových membrán a depozice atomů gallia.
Optimalizace termálního disociačního zdroje atomů vodíku pro SEM
Melichárek, Václav ; Polčák, Josef (oponent) ; Mach, Jindřich (vedoucí práce)
Tématem této bakalářské práce je optimalizace termálního disociačního zdroje atomárního vodíku. V rámci tohoto tématu byl proveden návrh a konstrukce nové elektronické jednotky k ovládání termálního disociačního zdroje, neboť dosud bylo napájení řešeno užitím universálních laboratorních napájecích zdrojů. V úvodní části práce je stručně rozebrána problematika interakce grafenu s atomárním vodíkem, princip funkce a konstrukční provedení termálního disociačního zdroje atomárního vodíku. Dále jsou zde vymezeny požadavky na konstrukci elektronické jednotky. A je zde rovněž proveden podrobnější rozbor variant řešení koncepčního návrhu této napájecí jednotky a výběr optimálního řešení. V praktické části je proveden podrobnější rozbor variant řešení koncepčního návrhu této elektronické jednotky a je zde popsán výběr optimálního řešení. Dále je detailně rozpracován prováděcí návrh elektronické jednotky, návrh její konstrukce a zejména zapojení.
Příprava ultratenkých vrstev SiN
Dvořák, Martin ; Voborný, Stanislav (oponent) ; Mach, Jindřich (vedoucí práce)
Tato bakalářská práce je zaměřena na realizaci, testování a kalibrování efuzní cely poskytující atomární svazky Si o termální energii (0,1 - 1 eV). Tyto svazku jsou užity k přípravě ultratenkých vrstev Si a SiN. Je zpracována rešeršní studie dosavadních poznatků o nitridu křemíku a jeho aplikaci v polovodičovém průmyslu. Dále byly provedeny první experimenty s depozicemi ultratenkých vrstev Si a SiN. Tyto vrstvy byly analyzovány metodami rentgenová fotoelektronová spektroskopie (XPS) a mikroskopie atomárních sil (AFM).

Národní úložiště šedé literatury : Nalezeno 132 záznamů.   začátekpředchozí21 - 30dalšíkonec  přejít na záznam:
Viz též: podobná jména autorů
22 MACH, Jan
18 MACH, Jiří
10 Mach, Jakub
22 Mach, Jan
1 Mach, Jaroslav
18 Mach, Jiří
2 Mach, Jonáš
Chcete být upozorněni, pokud se objeví nové záznamy odpovídající tomuto dotazu?
Přihlásit se k odběru RSS.