National Repository of Grey Literature 61 records found  previous11 - 20nextend  jump to record: Search took 0.02 seconds. 
Fabrication of Metallic Nanowires by Electrochemical Deposition
Ostřížek, Petr ; Čechal, Jan (referee) ; Škoda, David (advisor)
In this work we are studied possibitities of preparing of metalic nanowires by using template methods. Second part of this work was design of simple electrolytical cell for electrochemical deposition of nanostructures through polycarbonate membrane. Finally, we are tried to prepare metalic nanowires via pressure injection.
Preparation of surfaces with diffusion barrier for studying initial phase of semiconductor nanowire growth
Andrýsek, Michal ; Lišková, Zuzana (referee) ; Kolíbal, Miroslav (advisor)
This bachelor's thesis deals with preparation of surfaces with diffusion barriers for studying germanium nanowire growth. Semicondutor growth mechanism is explained as well as the role of diffusion barriers, such as graphene or aluminium oxide, during nanowire growth. Graphene was prepared using CVD method and aluminium oxide was prepared using ALD method. It is shown that nanowires could not grow on prepared samples with diffusion barriers on them.
Nanotechnology utilization in nuclear industry and research
Skalička, Jiří ; Štefánik, Milan (referee) ; Katovský, Karel (advisor)
This thesis introduces reader to current knowledge of nanomaterials and their usage. It summarises production methods and usage of different materials in nuclear power plants, nuclear research and nuclear medicine. Theoretical part of this thesis is dedicated to possible usage of carbon nanotubes for neutron beam collimation and guides. In experimental part different materials were tested in measuring box connected to horizontal radial channel of VR-1 nuclear reactor and their influence on neutron flux was measured. Tested samples were non-oriented carbon nanotubes, carbon nanofibers, alumina nanowires, oriented carbon nanotubes with several angles of rotation and these samples were compared with results of graphite.
Semiconductor nanowire growth modelling
Kovács, Roland ; Bartošík, Miroslav (referee) ; Kolíbal, Miroslav (advisor)
This bachelor’s thesis deals with modelling of semiconductor nanowires growth. The work describes the mechanism of growth using the VLS method. The main objective is to simulate the distribution of eutectic material in a droplet in the initial stage of growth. Mathematical models describing different situations of material diffusion in the droplet were depeloped. The simulation model is programmed in MATLAB.
Controlling of Nanostructure Temperature by Light Absorption
Kovács, Roland ; Schmidt,, Eduard (referee) ; Kalousek, Radek (advisor)
The thesis deals with a new versatile strategy which is aimed to heat up rapidly the nanostructures with the help of a focused light beam utilizing localized plasmons (collective oscillation of electrons). By local heating, the growth of the semiconductor nanowires can be initiated and controlled at any arbitrarily prespecified location down to the single nanostructure level in a chamber at room-temperature. The aim of the work is to study electromagnetic field in the selected structures, especially in metal nanospheres by using numeric calculations and computations of the thermal field in the vicinity of these illuminated nanostructures. Electromagnetic phenomena is simulated in Lumerical and the temperature field in COMSOL.
Nanostructures and Nanosensors
Křečková, Jitka ; Haupt, Jaromír (referee) ; Ellederová, Eva (advisor)
Cílem této bakalářské práce je představit využití nanotechnologie ve snímacích zařízeních, poskytnout základní informace o nanotechnologii, včetně popisu a klasifikace nanostruktur, a zdůraznit možnost vylepšení výkonu senzoru prostřednictvím nanotechnologie. Tato práce se také zabývá využitím nanodrátu jako součástí senzoru s konfigurací unipolárního tranzistoru. Kvantové tečky a jejich využití v optické detekci jsou také zahrnuty v této práci. Výhody i současná omezení nanosenzorů jsou shrnuty v závěru práce.
Characterization of electronic properties of nanowires for electrochemistry
Kovařík, Martin ; Čech, Vladimír (referee) ; Kolíbal, Miroslav (advisor)
Elektrochemické metody nacházejí využití v mnoha aplikacích (např. senzorice, skladování el. energie nebo katalýze). Jejich nespornou výhodou je nízká finanční náročnost na přístrojové vybavení. Abychom lépe porozuměli procesům probíhajícím na elektrodách, je dobré znát elektronickou pásovou strukturu materiálu elektrody. Úkolem této práce je vyhodnotit výstupní práci a pozici hrany valenčního pásu nových materiálů pro elektrody, konkrétně cínem dopovaného oxidu india pokrytého nanotrubicemi sulfidu wolframičitého. Ultrafialová fotoelektronová spektroskopie a Kelvinova silová mikroskopie jsou metody použité pro tuto analýzu. Zvláštní důraz je kladen na přípravu vzorků elektrod pro měření, aby nedošlo k nesprávné interpretaci výsledků vlivem vnějších efektů jako je např. kontaminace nebo modifikace povrchu.
Preparation of low-dimensional III-V semiconductors
Stanislav, Silvestr ; Detz, Hermann (referee) ; Kolíbal, Miroslav (advisor)
Tato diplomová práce se zabývá přípravou nanostruktur z indium arsenidu (InAs) pomocí metody molekulární svazkové epitaxe (MBE). Důraz je kladen na výrobu struktur ve formě nanodrátů na křemíkovém substrátu. V úvodní části práce je popsána motivace pro studium III-V polovodičů a konkrétně InAs. Následující kapitoly vysvětlují dva základní princpy tvorby nanodrátů. Experimentální část práce diskutuje možnost přípravy indiového katalyzátoru pro samokatalyzovaný růst InAs nanodrátů v konkrétní aparatuře MBE. Následuje prezentace výsledků růstu InAs nanodrátů mechanismem selektivní epitaxe (SAE). Nanodráty byly vyrobeny na substrátu s termálně dekomponovaným oxidem a rovněž na substrátech s litograficky připravenou oxidovou maskou.
Modification of semiconductor nanowire growth
Pejchal, Tomáš ; Grym, Jan (referee) ; Kolíbal, Miroslav (advisor)
This diploma thesis deals with the growth of semiconductor nanowires on Ge(111) surface. The nanowires were prepared by means of PVD (physical vapor deposition). The growth was calatyzed by Au colloidal nanoparticles. An impact of different growth conditions on nanowire morfology is presented. It is demonstrated that Ge nanowires grow preferentially along axis. Ge wires with orientation were observed as well.
Semiconductor nanowire growth utilizing alloyed catalyst
Musálek, Tomáš ; Rezek, Bohuslav (referee) ; Kolíbal, Miroslav (advisor)
This master's thesis deals with growth of germanium nanowires using different catalyst particles. The emphasis is mainly layed on fabrication of specific alloyed catalyst consisting of (AgGa). In the first part of the thesis are mentioned two most common concepts of nanowire growth and the importance of phase diagrams for their interpretation. Method for production of alloyed catalyst is demonstrated and experiments focused on the growth of germanium nanowires using this catalyst were performed. Moreover, method for modification of germanium surface via anisotropic etching is demonstrated as well. Such etched structures are suitable for nanowire growth with the help of different kinds of catalyst particles or for the growth of nanowires made of various materials.

National Repository of Grey Literature : 61 records found   previous11 - 20nextend  jump to record:
Interested in being notified about new results for this query?
Subscribe to the RSS feed.