Národní úložiště šedé literatury Nalezeno 66 záznamů.  začátekpředchozí57 - 66  přejít na záznam: Hledání trvalo 0.01 vteřin. 
Modeling of physical phenomena in semiconductors
Pálka, Mário ; Frk, Martin (oponent) ; Rozsívalová, Zdenka (vedoucí práce)
This work deals with properties and physical phenomena occurring in semiconductor materials. In details are described generation - recombination processes in a state of thermodynamic disequilibrium. The output of work is a software application simulating waveforms of energy levels in the band's own models and impurity semiconductors, depending on the type of semiconductor, impurities concentration and temperature. Finally, the processed virtual lab experiment deliverable in the educational process.
Počítačové modelování MOSFET tranzistoru
Major, Jan ; Harwot, Ondřej (oponent) ; Pokorný, Michal (vedoucí práce)
Práce je zaměřena na počítačové modelování PN přechodu a MOSFET tranzistoru v programu COMSOL Multiphysics a v programu TiberCAD. V textu je pojednáno o driftu a difůzi v polovodičích. Také je ukázán způsob modelování PN přechodu a MOSFET tranzistoru v programech a srovnání modelů.
Využití šumové diagnostiky k analýze vlastností solárních článků
Husák, Marek ; Sládek, Petr (oponent) ; Vaněk, Jiří (vedoucí práce)
Diplomová práce se zabývá šumovou diagnostikou fotovoltaických článků. Popisuje hlavní druhy šumů, které vznikající v solárních článcích. Zkoumané vzorky byly roztřízeny na kvalitní a spolehlivé pomocí šumových spolehlivostních indikátorů. Vzorky byly zkoumány pomocí měření VA charakteristik, spektrální výkonové hustoty šumového napětí v závislosti na napětí a frekvenci. Dopočítána byla spektrální výkonová hustota šumového proudu v závislosti na proudu.
Studium optoelektrických vlastností tenkých vrstev organických polovodičů
Kovář, Jakub ; Weiter, Martin (oponent) ; Zmeškal, Oldřich (vedoucí práce)
Diplomová práce je zaměřena na studium elektrických a optoelektrických vlastností tenkých vrstev organických polovodičů. Byly připraveny organické elektroluminiscenční součástky, na kterých byl pomocí stejnosměrného elektrického měření a impedanční spektroskopie zkoumán vliv osvětlení a zařazení organických vrstev, tvořících alternativní elektrody, na injekci a transport elektrického náboje. Práce se pokouší na základě naměřených dat nalézt pro mezivrstvy nejvhodnější materiály, které by umožnily zlepšení elektrických vlastností elektroluminiscenčních součástek. Dále byl diskutován význam použití kombinace stejnosměrného elektrického měření a impedanční spektroskopie.
Tenzometrická měření
Trojan, Vítězslav ; Kandus, Bohumil (oponent) ; Podaný, Kamil (vedoucí práce)
Práce se zabývá tenzometrickým měřením. Věnuje se základním principům tenzometrického měření a problémy, které mohou při měření nastat. Jsou rozebrány druhy tenzometrů, způsoby jejich aplikace a odvozeny základní úlohy pro běžné způsoby namáhání. Je zhodnocena vhodnost využití tenzometrických snímačů ve strojírenství.
Vícevrstevné polovodičové prvky
SEDLÁK, Jiří
Práce se zabývá polovodičovým tématem s obsahem čtyř základních kapitol: v první kapitole je vysvětlen princip polovodičů a v následujících jsou popsány tři polovodičové prvky tranzistor, tyristor a triak. Cílem je vytvoření multimediálního studijního materiálu ve formě www stránek, který nalezne uplatnění u studentů zejména v polovodičové části elektrotechniky. Tyto stránky budou přiloženy jako příloha k práci na kompaktním disku a také umístěny v univerzitním systému eAMOS.
Kvantifikace hustoty rozložení dopantu v polovodiči s pomocí REM
Mika, Filip ; Frank, Luděk
Ačkoliv je kontrast dopantu v SEM studován více než jedno desetiletí, bezesporné vysvětlení jeho vzniku prozatím nebylo publikováno. Bylo zjištěno, že p-typ křemíku je v obraze SE světlejší než n-typ. Cílem práce je prozkoumat vliv emisního úhlu signálních elektronů na kontrast.
Kvantitativní studium hustoty rozložení dopantu v polovodiči pomocí emise sekundárních elektronů
Mika, Filip
Tématem práce je výzkum jedné vrstvy polovodičové struktury s ohraničenými dopovanými oblastmi pomocí HV a UHV rastrovacího mikroskopu. Cílem práce je prozkoumat tvorbu kontrastu v polovodičích, identifikovat faktory, které ji ovlivňují, a nalézt optimální podmínky zobrazení dopovaných oblastí pro získání závislosti mezi kontrastem a hustotou příměsí.
Globální trendy v high-tech průmyslu: případová studie Texas Instruments
Vondrášek, Štěpán ; Vošta, Milan (vedoucí práce) ; Kašpar, Václav (oponent)
Práce se zabývá globálními trendy high-tech průmyslu, což jsou převážně konsolidace, koncetrace a regionalizace. Definuje, co to high-tech průmysl je, poté se zaměřuje na konkrétní odvětví - výrobu polovodičů, kde popisuje charakteristiky výrobního procesu a pracovní síly. Zvláštní místo v práci mají politiky vlád jednotlivých zemí vzhledem k danému odětví. Závěr je věnován případové studii americké společnosti Texas Instruments Inc., která od vzniku odvětví až doposud hrála a hraje významnou světovou roli.
Valuation of Infineon Technologies AG
Drotár, Martin ; Jurečka, Jan (vedoucí práce) ; Makovec, Martin (oponent)
Cílem této práce je, na základě veřejně dostupných informací, určení hodnoty veřejně obchodované společnosti (jako celku) a současně i odhad hodnoty akcie samotné, tedy odhad "vnitřní" hodnoty akcie (intrinsic value) a následné porovnání tohoto odhadu s cenou na trhu. Při ocenění byly použity výnosové metody spolu s metodou tržního porovnání. Autor se pokouší, kromě samotného ocenění společnosti, o analýzu dopadu globální ekonomické krize na hodnotu společnosti (a následně i samotné akcie).

Národní úložiště šedé literatury : Nalezeno 66 záznamů.   začátekpředchozí57 - 66  přejít na záznam:
Chcete být upozorněni, pokud se objeví nové záznamy odpovídající tomuto dotazu?
Přihlásit se k odběru RSS.