|
|
Návrh a testování vhodné metodiky pro čištění povrchů preparátů in situ pro elektronovou mikroskopii pomalými elektrony
Rudolfová, Zdena ; Vávra,, Ivo (oponent) ; Kolíbal, Miroslav (vedoucí práce)
Tato práce se zabývá metodikou přípravy polovodičových vzorků pro pozorování dopova- ných struktur v rastrovacím elektronovém mikroskopu pomalými elektrony. V první části je podrobně zpracována teorie zobrazování povrchů pomocí elektronového svazku a rozdíly klasické rastrovací elektronové mikroskopie (SEM) a rastrovací elektronové mikroskopie pomalými elektrony (LVSEM). Je vysvětlen vznik kontrastu v SEM i LVSEM i teorie popisující vznik kontrastu různě dopovaných polovodičů. Druhá část obsahuje naměřená experimentální data. Jsou diskutovány výhody a nedostatky přípravy povrchu štípáním i fokusovaným iontovým svazkem (FIB), který byl shledán jako nejlepší způsob přípravy povrchu pro analýzu přesně určeného místa na vzorku. Nutné je použití co nejnižšího urychlovacího napětí závěrečného leštění FIB, ideálně 1 kV.
|
|
| |
|
|
Návrh a testování vhodné metodiky pro čištění povrchů preparátů in situ pro elektronovou mikroskopii pomalými elektrony
Rudolfová, Zdena ; Vávra,, Ivo (oponent) ; Kolíbal, Miroslav (vedoucí práce)
Tato práce se zabývá metodikou přípravy polovodičových vzorků pro pozorování dopova- ných struktur v rastrovacím elektronovém mikroskopu pomalými elektrony. V první části je podrobně zpracována teorie zobrazování povrchů pomocí elektronového svazku a rozdíly klasické rastrovací elektronové mikroskopie (SEM) a rastrovací elektronové mikroskopie pomalými elektrony (LVSEM). Je vysvětlen vznik kontrastu v SEM i LVSEM i teorie popisující vznik kontrastu různě dopovaných polovodičů. Druhá část obsahuje naměřená experimentální data. Jsou diskutovány výhody a nedostatky přípravy povrchu štípáním i fokusovaným iontovým svazkem (FIB), který byl shledán jako nejlepší způsob přípravy povrchu pro analýzu přesně určeného místa na vzorku. Nutné je použití co nejnižšího urychlovacího napětí závěrečného leštění FIB, ideálně 1 kV.
|
|
| |
|
|
Scanning Very Low Energy Electron Microscopy
Müllerová, Ilona ; Hovorka, Miloš ; Mikmeková, Šárka ; Pokorná, Zuzana ; Mikmeková, Eliška ; Frank, Luděk
Recent developments in applications of the scanning very low energy electron microscopy in selected branches of materials science are reviewed. The examples include visualization of grains in conductive polycrystals including ultrafine grained metals, identification of the local crystal orientation upon reflectance of very slow electrons, transmission mode with ultrathin free-standing films including graphene, acquisition of a quantitative dopant contrast in semiconductors, and examination of thin surface coverages.
|
|
|
Dynamické chování kontrastu dopantů v LVSEM
Mika, Filip ; Frank, Luděk
Kontrast mezi rozdílně dopovanými oblastmi polovodiče může být pozorován v rastrovacím elektronové mikroskopu v signálu sekundárních elektronů. Na různě dopovaných vzorcích bylo studováno chování kontrastu v závislosti na dávce dopadajících elektronů, jejich energii a přítomnosti vrstvy nad povrchem polovodiče.
|
|
| |
|
|
Kontrast dopantu – otázka pro elektronovou mikroskopii
Frank, Luděk
Je podán přehled výsledků získaných při zobrazování dopovaných oblastí v křemíku pomocí různých elektronově mikroskopických metod. Pojednáno je o zobrazování sekundárními elektrony v konvenčním rastrovacím elektronovém mikroskopu a v tomtéž mikroskopu vybaveném katodovou čočkou, zobrazování pomocí velmi pomalých zpětně odražených elektronů za pomoci katodové čočky, a zobrazování ve fotoelektronovém emisním mikroskopu. Naznačena je důležitá úloha místních rozdílů v intenzitě absorpce excitovaných horkých elektronů podél jejich trajektorie směrem k povrchu v mechanismu vzniku obrazového kontrastu.
|
host ::
RSS.