Název: Kvantitativní mapování dopantu v polovodiči pomocí kontrastu injektovanéhonáboje v rastrovacím mikroskopu s velmi pomalými elektrony
Překlad názvu: Quantitative mapping of dopant in semiconductor using injected chargecontrast in very-slow-electron scanning electron microscope
Autoři: Mikmeková, Šárka ; Müllerová, Ilona (oponent) ; Pavloušková, Zina (vedoucí práce)
Typ dokumentu: Diplomové práce
Rok: 2009
Jazyk: cze
Nakladatel: Vysoké učení technické v Brně. Fakulta strojního inženýrství
Abstrakt: [cze] [eng]
Tato diplomová práce se zabývá studiem mechanismu kontrastu injektovaného náboje v dopovaném polovodiči pomocí ultravysokovakuového nízkoenergiového rastrovacího elektronového mikroskopu. Cílem této práce bylo vysvětlit mechanismus kontrastu injektovaného náboje, jeho schopnost mapovat plošnou hustotu dopantu a identifikovat faktory, které ho ovlivňují. This master's thesis deals with study of the injected charge contrast mechanism of doped semiconductors by using the ultra – high vacuum scanning low electron energy microscope (UHV SLEEM). The aims of this work were to explain the injected charge contrast mechanism, to ability of this contrast mechanism to map the dopant density quantitatively and to identify the influencing factors.
Klíčová slova: kontrast dopantu; kontrast injektovaného náboje; nízkoenergiová rastrovací elektronová mikroskopie; polovodiče; dopant contrast; injected-charge contrast; low energy scanning electron microscopy; semiconductors

Instituce: Vysoké učení technické v Brně (web)
Informace o dostupnosti dokumentu: Plný text je dostupný v Digitální knihovně VUT.
Původní záznam: http://hdl.handle.net/11012/10935

Trvalý odkaz NUŠL: http://www.nusl.cz/ntk/nusl-544425


Záznam je zařazen do těchto sbírek:
Školství > Veřejné vysoké školy > Vysoké učení technické v Brně
Vysokoškolské kvalifikační práce > Diplomové práce