|
|
Užití kovových materiálů pro selektivní růst
Němeček, Tomáš ; Rezek, Bohuslav (oponent) ; Čechal, Jan (vedoucí práce)
Povrch Si(100), povrchové fáze Ga a jejich oxidace byly zkoumány pomocí metod XPS a LEED. Byly provedeny studie oxidace substrátu Si(100) a struktury (2x2)-Ga s následným žíháním pro odpaření oxidu gallného. Selektivní růst Ga na mřížkách tvořených SiO2/Si byl mapován s využitím metod SEM a AFM. Bylo zjištěno, že gallium roste uvnitř struktur selektivně. Dále byly analyzovány jednotlivé struktury. Kombinací STM měření a výpočtů DFT se podařila plně určit struktura povrchového oxidu na Ni3Al(111) a na NiAl(110) substrátech. Bylo zjištěno, že struktura povrchového oxidu hlinitého na NiAl(110) netvoří tzv. vzor, a že klastry Fe a Co na něm nerostou uspořádaně. Naproti tomu, oxid hlinitý vytvořený na povrchu Ni3Al(111) vzor tvoří a může být použit pro růst klastrů Fe a Co.
|
|
|
Studium mobility atomů kovů na povrchu Si(100) pomocí STM
Rozbořil, Filip ; Ošťádal, Ivan (vedoucí práce) ; Mysliveček, Josef (oponent)
Práce se zabývá studiem difúze kovů III. a IV. skupiny na povrchu Si(100). Jsou popsány tři různé metody, jak je možné určit hodnoty difúzních bariér a diskutovány neshody v publikovaných výsledcích. Růst hliníku na Si(100) je studován pomocí STM za pokojové teploty, kdy je pozorována monomodální škálovaná ostrůvková distribuční funkce. Je popsán model Kinetic Monte Carlo simulace, který je následně použit pro fitování vazebných energií a difúzních bariér pro systém Al/Si(100). Nejlepší shoda s experimentem je zjištěna pro anizotropní difúzi s bariérou 0,60 eV ve směru kolmém na Si dimerové řádky a 0,80 eV ve směru rovnoběžném. Jsou popsány úpravy chladicího systému potřebného pro přímé pozorování difúze kovů na Si(100) pomocí STM a je proveden první nízkoteplotní experiment.
|
|
|
Studium adsorpce a mobility atomů Al na povrchu Si(100)
Majer, Karel ; Ošťádal, Ivan (vedoucí práce) ; Mysliveček, Josef (oponent)
Tématem práce je r st hliníkových útvar jednorozm rných etízk na povrchu Si(100). Pomocí STM byly zm eny r stové charakteristiky Al na Si(100) p i pokojové a vy í teplot a r zných hodnotách pokrytí. Výsledky jsou diskutovány v kontextu p edchozích experiment a je navr en zp sob ur ení aktiva ní energie povrchové migrace. D le itou ást práce tvo í p íprava a testování nové nízkoteplotní UHV aparatury pro m ení pomocí STM. Jsou popsány funkce aparatury. V dosud neznámých podmínkách byl nalezen postup p ípravy istého povrchu Si(100) a metody dosa ení atomárního rozli ení p i STM experimentu. Je popsán test sm rových vypa ovadel pro Al a Sn. Depozice Al na nové aparatu e dosud nebyla úsp ná. Depozice Sn prob hla správn a byly zobrazeny struktury Sn na Si(100) p i nízké teplot . Ty se li í od struktur pozorovaných p i pokojové teplot a byla v nich objevena kolena dosud pozorovaná výhradn u Al.
|
|
|
Interaction of group III and IV metals with Si(100) surface in temperature range from 20 to 800K
Setvín, Martin ; Ošťádal, Ivan (vedoucí práce) ; Janda, Pavel (oponent) ; Klapetek, Petr (oponent)
1 Název práce: Interakce kovů III. a IV. skupiny s povrchem Si(100) v rozmezí teplot od 20 do 800 K Autor: Martin Setvín Katedra: Katedra fyziky povrchů a plazmatu Vedoucí doktorské práce: Doc. RNDr. Ivan Ošt'ádal CSc. Abstrakt: Interakce kovů III. a IV. skupiny s povrchem Si(100) v rozmezí teplot od 20 do 800 K byla studována pomocí rastrovací tunelové mikroskopie (STM) a mikroskopie atomárních sil (AFM). Adsorpci a přeskoky jednotlivých kovových atomů na povrchu Si(100)-c(4×2) lze sledovat pomocí STM za snížených teplot. Pomocí dvou metod byly určeny aktivačí energie a frekvenční prefaktory pro přeskoky jednotlivých indiových atomů - přímým STM měřením za nízké teploty a pomocí kinetických Monte Carlo simulací růstového pro- cesu za pokojové teploty. Kovy III. a IV. kupiny se v blízkosti pokojové teploty samouspořádávají do řetízků, které jsou pouze jeden atom široké. Atomární a elektronová struktura řetízků byla zkoumána pomocí STM a dynamického nekontaktního AFM. Klíčová slova: Si(100), STM, AFM, adsorpce, difúze
|
|
|
Interaction of organic molecules with metal passivated semiconductor surfaces studied via STM
Zimmermann, Petr ; Sobotík, Pavel (vedoucí práce)
Název Studium interakce organických molekul na kovem pasivovaných površích křemíku pomocí STM Autor Petr Zimmermann Katedra / Ústav Katedra fyziky povrchů a plazmatu Vedoucí doktorské práce Doc. RNDr. Pavel Sobotík, CSc. Katedra fyziky povrchů a plazmatu Abstrakt Organické molekuly vykazují celou řadu optických, elektronických či chemických vlastností. Vhodnou integrací s křemíkem by tak mohly umožnit vznik zcela nových druhů zařízení. Řízená funkcionalizace křemíku organickými molekulami je však pro- blematická kvůli přítomnosti vysoce reaktivních vazeb na jeho površích. V této práci zkoumáme možnosti snížení reaktivity křemíkových povrchů pomocí ultratenkých vrs- tev kovových adsorbátů a s využitím řádkovací tunelové mikroskopie studujeme, jak s nimi interagují organické molekuly. V první části zkoumáme interakci ethylenu, malé nenasycené molekuly, s cínovými a indiovými 1D řetízky na Si(001) - 2 × 1. Tyto řetízky jsou tvořeny dimery, jež mají strukturu analogickou s křemíkovými dimery tvo- řící Si(001) - 2 × 1. Ukázalo se, že cínové řetízky jsou méně reaktivní než samotný Si(001) povrch a dále že absence π vazby v indiovém dimeru způsobuje, že indiové řetízky jsou pro etylen inertní. V druhé části pak zkoumáme interakci fthalocyaninu mědnatého (CuPc), malé makrocyklické heteroaromatické sloučeniny, na...
|
|
|
Interaction of organic molecules with metal passivated semiconductor surfaces studied via STM
Zimmermann, Petr ; Sobotík, Pavel (vedoucí práce)
Název Studium interakce organických molekul na kovem pasivovaných površích křemíku pomocí STM Autor Petr Zimmermann Katedra / Ústav Katedra fyziky povrchů a plazmatu Vedoucí doktorské práce Doc. RNDr. Pavel Sobotík, CSc. Katedra fyziky povrchů a plazmatu Abstrakt Organické molekuly vykazují celou řadu optických, elektronických či chemických vlastností. Vhodnou integrací s křemíkem by tak mohly umožnit vznik zcela nových druhů zařízení. Řízená funkcionalizace křemíku organickými molekulami je však pro- blematická kvůli přítomnosti vysoce reaktivních vazeb na jeho površích. V této práci zkoumáme možnosti snížení reaktivity křemíkových povrchů pomocí ultratenkých vrs- tev kovových adsorbátů a s využitím řádkovací tunelové mikroskopie studujeme, jak s nimi interagují organické molekuly. V první části zkoumáme interakci ethylenu, malé nenasycené molekuly, s cínovými a indiovými 1D řetízky na Si(001) - 2 × 1. Tyto řetízky jsou tvořeny dimery, jež mají strukturu analogickou s křemíkovými dimery tvo- řící Si(001) - 2 × 1. Ukázalo se, že cínové řetízky jsou méně reaktivní než samotný Si(001) povrch a dále že absence π vazby v indiovém dimeru způsobuje, že indiové řetízky jsou pro etylen inertní. V druhé části pak zkoumáme interakci fthalocyaninu mědnatého (CuPc), malé makrocyklické heteroaromatické sloučeniny, na...
|
|
|
Interaction of organic molecules with metal passivated semiconductor surfaces studied via STM
Zimmermann, Petr ; Sobotík, Pavel (vedoucí práce) ; Plšek, Jan (oponent) ; Šikola, Tomáš (oponent)
Název Studium interakce organických molekul na kovem pasivovaných površích křemíku pomocí STM Autor Petr Zimmermann Katedra / Ústav Katedra fyziky povrchů a plazmatu Vedoucí doktorské práce Doc. RNDr. Pavel Sobotík, CSc. Katedra fyziky povrchů a plazmatu Abstrakt Organické molekuly vykazují celou řadu optických, elektronických či chemických vlastností. Vhodnou integrací s křemíkem by tak mohly umožnit vznik zcela nových druhů zařízení. Řízená funkcionalizace křemíku organickými molekulami je však pro- blematická kvůli přítomnosti vysoce reaktivních vazeb na jeho površích. V této práci zkoumáme možnosti snížení reaktivity křemíkových povrchů pomocí ultratenkých vrs- tev kovových adsorbátů a s využitím řádkovací tunelové mikroskopie studujeme, jak s nimi interagují organické molekuly. V první části zkoumáme interakci ethylenu, malé nenasycené molekuly, s cínovými a indiovými 1D řetízky na Si(001) - 2 × 1. Tyto řetízky jsou tvořeny dimery, jež mají strukturu analogickou s křemíkovými dimery tvo- řící Si(001) - 2 × 1. Ukázalo se, že cínové řetízky jsou méně reaktivní než samotný Si(001) povrch a dále že absence π vazby v indiovém dimeru způsobuje, že indiové řetízky jsou pro etylen inertní. V druhé části pak zkoumáme interakci fthalocyaninu mědnatého (CuPc), malé makrocyklické heteroaromatické sloučeniny, na...
|
|
|
Vliv snižování teploty povrchu křemíku Si(100) na morfologii růstu kovu při malém pokrytí
Doležal, Jiří ; Ošťádal, Ivan (vedoucí práce) ; Matvija, Peter (oponent)
Práce se zabývá studiem růstu cínových řetízků na povrchu Si(100) připravovaných napařováním při teplotách nižších než pokojová. Pomocí skenovací tunelové mikroskopie (STM) byly získány obrázky povrchu, které umožnily určení růstových charakteristik. Srovnání charakteristik pro různé teploty a dvě různá množství deponovaného kovu ukazuje, že ve všech studovaných případech převládá při růstu stejný mechanizmus. Je popsán a diskutován vliv ohřívání povrchu na rozdělení délek řetízků připravených při nízké teplotě. Dále je diskutován vliv Cdefektů na růst řetízků a tvar škálovací funkce pro rozdělení délek. Byla ověřena použitelnost aparatury chlazené kapalným dusíkem k nízkoteplotním měřením a úspěšně testován nový systém čerpání dusíku do kryopanelu uvnitř STM aparatury.
|
|
|
Studium adsorpce a mobility atomů Al na povrchu Si(100)
Majer, Karel ; Ošťádal, Ivan (vedoucí práce) ; Mysliveček, Josef (oponent)
Tématem práce je r st hliníkových útvar jednorozm rných etízk na povrchu Si(100). Pomocí STM byly zm eny r stové charakteristiky Al na Si(100) p i pokojové a vy í teplot a r zných hodnotách pokrytí. Výsledky jsou diskutovány v kontextu p edchozích experiment a je navr en zp sob ur ení aktiva ní energie povrchové migrace. D le itou ást práce tvo í p íprava a testování nové nízkoteplotní UHV aparatury pro m ení pomocí STM. Jsou popsány funkce aparatury. V dosud neznámých podmínkách byl nalezen postup p ípravy istého povrchu Si(100) a metody dosa ení atomárního rozli ení p i STM experimentu. Je popsán test sm rových vypa ovadel pro Al a Sn. Depozice Al na nové aparatu e dosud nebyla úsp ná. Depozice Sn prob hla správn a byly zobrazeny struktury Sn na Si(100) p i nízké teplot . Ty se li í od struktur pozorovaných p i pokojové teplot a byla v nich objevena kolena dosud pozorovaná výhradn u Al.
|
|
|
Interaction of group III and IV metals with Si(100) surface in temperature range from 20 to 800K
Setvín, Martin ; Ošťádal, Ivan (vedoucí práce) ; Janda, Pavel (oponent) ; Klapetek, Petr (oponent)
1 Název práce: Interakce kovů III. a IV. skupiny s povrchem Si(100) v rozmezí teplot od 20 do 800 K Autor: Martin Setvín Katedra: Katedra fyziky povrchů a plazmatu Vedoucí doktorské práce: Doc. RNDr. Ivan Ošt'ádal CSc. Abstrakt: Interakce kovů III. a IV. skupiny s povrchem Si(100) v rozmezí teplot od 20 do 800 K byla studována pomocí rastrovací tunelové mikroskopie (STM) a mikroskopie atomárních sil (AFM). Adsorpci a přeskoky jednotlivých kovových atomů na povrchu Si(100)-c(4×2) lze sledovat pomocí STM za snížených teplot. Pomocí dvou metod byly určeny aktivačí energie a frekvenční prefaktory pro přeskoky jednotlivých indiových atomů - přímým STM měřením za nízké teploty a pomocí kinetických Monte Carlo simulací růstového pro- cesu za pokojové teploty. Kovy III. a IV. kupiny se v blízkosti pokojové teploty samouspořádávají do řetízků, které jsou pouze jeden atom široké. Atomární a elektronová struktura řetízků byla zkoumána pomocí STM a dynamického nekontaktního AFM. Klíčová slova: Si(100), STM, AFM, adsorpce, difúze
|
host ::
RSS.