|
|
Studium mobility atomů kovů na povrchu Si(100) pomocí STM
Rozbořil, Filip ; Ošťádal, Ivan (vedoucí práce) ; Mysliveček, Josef (oponent)
Práce se zabývá studiem difúze kovů III. a IV. skupiny na povrchu Si(100). Jsou popsány tři různé metody, jak je možné určit hodnoty difúzních bariér a diskutovány neshody v publikovaných výsledcích. Růst hliníku na Si(100) je studován pomocí STM za pokojové teploty, kdy je pozorována monomodální škálovaná ostrůvková distribuční funkce. Je popsán model Kinetic Monte Carlo simulace, který je následně použit pro fitování vazebných energií a difúzních bariér pro systém Al/Si(100). Nejlepší shoda s experimentem je zjištěna pro anizotropní difúzi s bariérou 0,60 eV ve směru kolmém na Si dimerové řádky a 0,80 eV ve směru rovnoběžném. Jsou popsány úpravy chladicího systému potřebného pro přímé pozorování difúze kovů na Si(100) pomocí STM a je proveden první nízkoteplotní experiment.
|
|
|
Studium stability molekulárních 2D krystalů pomocí STM
Maixner, Václav ; Kocán, Pavel (vedoucí práce) ; Rozbořil, Filip (oponent)
Uspořádání organických molekul lze ovlivnit elektrickým polem hrotu řádkovacího tunelového mikroskopu (STM). Pro případné využití takto uměle vytvořených supramolekulárních struktur je třeba znát jejich stabilitu. S použitím vhodných molekul bude pomocí techniky STM pozorován časový vývoj molekulárních ostrůvků. Pro posouzení vnitřní stability bude využito příměsi chemicky odlišných molekul. Experimentální práce bude doplněna o Monte Carlo sim- ulace v modelovém případě se zjednodušenou symetrií. 1
|
|
|
Příprava anizotropního povrchu pro růst molekulárních drátů
Zehnal, Jan ; Kocán, Pavel (vedoucí práce) ; Rozbořil, Filip (oponent)
Práce se zabývá přípravou anizotropního povrchu Si(100)-In(4x3) s následnou depozicí organických molekul ftalocyaninu mědi. Cílem je najít nejlepší parametry přípravy tohoto povrchu a ověřit, zda při této kombinaci substrátu a organických molekul vznikají na povrchu jednodimenzionální řetízky. Naměřená data byla získána pomocí skenovacího tunelovacího mikroskopu a měření probíhala v ultra vysokém vakuu. Během řešení práce jsme našli vhodný způsob přípravy povrchu s minimem defektů a zjistili jsme, že při depozici malého množství molekul vznikají řetízky. Hlavním přínosem je nalezení poměrné snadné metody pro přípravu jedno- dimensionálních řetízků z organických molekul.
|
|
|
Studium mobility atomů kovů na povrchu Si(100) pomocí STM
Rozbořil, Filip ; Ošťádal, Ivan (vedoucí práce) ; Mysliveček, Josef (oponent)
Práce se zabývá studiem difúze kovů III. a IV. skupiny na povrchu Si(100). Jsou popsány tři různé metody, jak je možné určit hodnoty difúzních bariér a diskutovány neshody v publikovaných výsledcích. Růst hliníku na Si(100) je studován pomocí STM za pokojové teploty, kdy je pozorována monomodální škálovaná ostrůvková distribuční funkce. Je popsán model Kinetic Monte Carlo simulace, který je následně použit pro fitování vazebných energií a difúzních bariér pro systém Al/Si(100). Nejlepší shoda s experimentem je zjištěna pro anizotropní difúzi s bariérou 0,60 eV ve směru kolmém na Si dimerové řádky a 0,80 eV ve směru rovnoběžném. Jsou popsány úpravy chladicího systému potřebného pro přímé pozorování difúze kovů na Si(100) pomocí STM a je proveden první nízkoteplotní experiment.
|
|
| |
host ::
RSS.