|
|
Měření rozložení optické intenzity ve vzdálené zóně
Vitásek, Jan ; Němeček, Jiří (oponent) ; Wilfert, Otakar (vedoucí práce)
Tato diplomová práce se zabývá energetickým proměřováním optického svazku ve vzdá-lené zóně. Objasněny jsou veličiny: optická intenzita a optický výkon. V práci je diskutováno řešení vlnové rovnice. Popsány jsou rovinná vlna, sférická vlna a Gaussův svazek. Práce ob-sahuje popis jevů, které nastávají na celé trasy laserového svazku, od vysílací laserové diody po přijímací fotodiodu PIN. Jedním z řešených problémů je difrakce na objímce čočky. Byla sestavena základní aparatura pro prozkoumání jevu difrakce, v níž byla použita vysílací dioda, clonka s kruhovými otvory a detektor. V závěrečné části se práce zabývá problematikou de-tekce výkonu v optickém svazku. Rozebrány jsou jednotlivé druhy fotodiod a uvedeny jsou jejich základní charakteristiky.
|
|
|
Rekonfigurovatelná vícepásmová anténa
Havlín, Radomil ; Goňa, Stanislav (oponent) ; Raida, Zbyněk (vedoucí práce)
Tato práce se zabývá modelováním a výrobou rekonfigurovatelných vícepásmových planárních antén, které umožňují elektrické přepínání pracovních pásem. Po nasimulování antén s PIN diodou a FET přepínačem v komerčním programu CST MW následovala optimalizace antén pro zadaný substrát. Následně bylo přistoupeno k realizaci antén. Dalším krokem bylo porovnání výsledků simulací s hodnotami měření na experimentálních anténách.
|
|
|
Amplitudový modulátor a zeslabovač s diodou PIN - laboratorní úloha
Kaller, Ondřej ; Jakubová, Ivana (oponent) ; Svačina, Jiří (vedoucí práce)
Účelem tohoto semestrálního projektu je vytvoření koncepce laboratorní úlohy Amplitudový modulátor a zeslabovač s diodou PIN, jež by byla alternativou úlohy měřené v předmětu BSES na jiném vzorku. Pro tuto laboratorní práci byl zvolen amplitudový modulátor firmy Hewlett Packard HP-8732A pro své výhodné vlastnosti, zejména jednoduchou manipulaci vzhledem ke koaxiálnímu připojení mikrovlnného signálu. Práce obsahuje jednak teoretické shrnutí principů činnosti diody PIN, jednak seznamuje s jejich aplikacemi, zejména v amplitudových modulátorech a řízených odporových zeslabovačích. Dále jsou zde zdokumentovány výsledky jednotlivých měření sloužící pro zjištění, případně ověření vlastností modulátoru HP-8732A. Nejpodstatnější částí je vlastní návrh několika bodů měření spolu s pokyny pro ovládání přístrojů, návrh formuláře protokolu o měření a jeho vzorově vyplněná verze. Posledním bodem této práce je idea demonstrace možného využití daného modulátoru ve stabilizátoru výkonu.
|
|
|
Mikrovlnné modulátory na bázi sixportů
Dušek, Martin ; Bezoušek, Pavel (oponent) ; Galajda, Pavol (oponent) ; Šebesta, Jiří (vedoucí práce)
Tato práce se zabývá problematikou modulátorů, řešených pomocí mikrovlnných šestibranů. V úvodu jsou rozebrány dosavadní řešení šestibranů jako modulátorů, jejich přenosové funkce a technologie SIW. Návrhová část obsahuje vývojový šestibran, založený na technologii vlnovodu integrovaného do substrátu (SIW), u které je prezentován vývoj struktury krok po kroku a také šestibran navržený pomocí mikropáskových struktur. Návrhy šestibranů a variabilních zátěží jsou změřeny, výsledky jsou diskutovány a porovnávány s očekávanými v dalších kapitolách. Druhá část práce se zabývá vlivy jednotlivých parametrů na výsledný přenos odvozením funkcí pro přenos, které berou v úvahu více než jeden odraz ve struktuře. Výsledky výpočtů jsou porovnány s experimentálními měřeními pro pevné zátěže. Pomocí rozmítání ideálních zátěží byly také vyzkoušeny tvarové modulace. Pro navržené variabilní zátěže byly hledány optimální body pro požadovanou modulaci a diskutovány vhodnosti jednotlivých vybraných aktivních prvku. V poslední kapitole jsou zobrazeny výsledky experimentu s variabilními zátěžemi připojeným k oběma druhům šestibranů.
|
|
|
Characterization of hydrogenated silicon thin films and diode structures with integrated silicon and germanium nanoparticles
Stuchlík, Jiří ; Fajgar, R. ; Remeš, Zdeněk ; Kupčík, Jaroslav ; Stuchlíková, Hana
P-I-N diode structures based on the thin films of amorphous hydrogenated silicon (a-Si:H) deposited by Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition (PECVD) technique were prepared with embedded Si and Ge nanoparticles. The Reactive Laser Ablation (RLA) of germanium target was used to cover the intrinsic a-Si:H layer by Ge NPs under a low pressure of the silane. The RLA was performed using focused excimer ArF laser beam under SiH4 background atmosphere. Reaction between ablated Ge NPs and SiH4 led to formation of Ge NPs covered by thin GeSi:H layer. The deposited NPs were covered and stabilized by a-Si:H layer by PECVD. Those two deposition processes were alternated repeatedly. Volt-ampere characteristics of final diode structures were measured in dark and under illumination as well as their electroluminescence spectra.
|
|
|
Characterization of hydrogenated silicon thin films and diode structures with integrated germanium nanoparticles
Stuchlík, J. ; Fajgar, R. ; Remeš, Z. ; Kupčík, Jaroslav ; Stuchlíková, H.
P-I-N diode structures based on the thin films of amorphous hydrogenated silicon (a-Si: H) deposited by Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition (PECVD) technique were prepared with embedded Si and Ge nanoparticles. The Reactive Laser Ablation (RLA) of germanium target was used to cover the intrinsic a-Si: H layer by Ge NPs under a low pressure of the silane. The RLA was performed using focused excimer ArF laser beam under SiH4 background atmosphere. Reaction between ablated Ge NPs and SiH4 led to formation of Ge NPs covered by thin GeSi: H layer. The deposited NPs were covered and stabilized by a-Si: H layer by PECVD. Those two deposition processes were alternated repeatedly. Volt-ampere characteristics of final diode structures were measured in dark and under illumination as well as their electroluminescence spectra.
|
|
|
Mikrovlnné modulátory na bázi sixportů
Dušek, Martin ; Bezoušek, Pavel (oponent) ; Galajda, Pavol (oponent) ; Šebesta, Jiří (vedoucí práce)
Tato práce se zabývá problematikou modulátorů, řešených pomocí mikrovlnných šestibranů. V úvodu jsou rozebrány dosavadní řešení šestibranů jako modulátorů, jejich přenosové funkce a technologie SIW. Návrhová část obsahuje vývojový šestibran, založený na technologii vlnovodu integrovaného do substrátu (SIW), u které je prezentován vývoj struktury krok po kroku a také šestibran navržený pomocí mikropáskových struktur. Návrhy šestibranů a variabilních zátěží jsou změřeny, výsledky jsou diskutovány a porovnávány s očekávanými v dalších kapitolách. Druhá část práce se zabývá vlivy jednotlivých parametrů na výsledný přenos odvozením funkcí pro přenos, které berou v úvahu více než jeden odraz ve struktuře. Výsledky výpočtů jsou porovnány s experimentálními měřeními pro pevné zátěže. Pomocí rozmítání ideálních zátěží byly také vyzkoušeny tvarové modulace. Pro navržené variabilní zátěže byly hledány optimální body pro požadovanou modulaci a diskutovány vhodnosti jednotlivých vybraných aktivních prvku. V poslední kapitole jsou zobrazeny výsledky experimentu s variabilními zátěžemi připojeným k oběma druhům šestibranů.
|
|
|
Amplitudový modulátor a zeslabovač s diodou PIN - laboratorní úloha
Kaller, Ondřej ; Jakubová, Ivana (oponent) ; Svačina, Jiří (vedoucí práce)
Účelem tohoto semestrálního projektu je vytvoření koncepce laboratorní úlohy Amplitudový modulátor a zeslabovač s diodou PIN, jež by byla alternativou úlohy měřené v předmětu BSES na jiném vzorku. Pro tuto laboratorní práci byl zvolen amplitudový modulátor firmy Hewlett Packard HP-8732A pro své výhodné vlastnosti, zejména jednoduchou manipulaci vzhledem ke koaxiálnímu připojení mikrovlnného signálu. Práce obsahuje jednak teoretické shrnutí principů činnosti diody PIN, jednak seznamuje s jejich aplikacemi, zejména v amplitudových modulátorech a řízených odporových zeslabovačích. Dále jsou zde zdokumentovány výsledky jednotlivých měření sloužící pro zjištění, případně ověření vlastností modulátoru HP-8732A. Nejpodstatnější částí je vlastní návrh několika bodů měření spolu s pokyny pro ovládání přístrojů, návrh formuláře protokolu o měření a jeho vzorově vyplněná verze. Posledním bodem této práce je idea demonstrace možného využití daného modulátoru ve stabilizátoru výkonu.
|
|
|
Rekonfigurovatelná vícepásmová anténa
Havlín, Radomil ; Goňa, Stanislav (oponent) ; Raida, Zbyněk (vedoucí práce)
Tato práce se zabývá modelováním a výrobou rekonfigurovatelných vícepásmových planárních antén, které umožňují elektrické přepínání pracovních pásem. Po nasimulování antén s PIN diodou a FET přepínačem v komerčním programu CST MW následovala optimalizace antén pro zadaný substrát. Následně bylo přistoupeno k realizaci antén. Dalším krokem bylo porovnání výsledků simulací s hodnotami měření na experimentálních anténách.
|
|
|
Měření rozložení optické intenzity ve vzdálené zóně
Vitásek, Jan ; Němeček, Jiří (oponent) ; Wilfert, Otakar (vedoucí práce)
Tato diplomová práce se zabývá energetickým proměřováním optického svazku ve vzdá-lené zóně. Objasněny jsou veličiny: optická intenzita a optický výkon. V práci je diskutováno řešení vlnové rovnice. Popsány jsou rovinná vlna, sférická vlna a Gaussův svazek. Práce ob-sahuje popis jevů, které nastávají na celé trasy laserového svazku, od vysílací laserové diody po přijímací fotodiodu PIN. Jedním z řešených problémů je difrakce na objímce čočky. Byla sestavena základní aparatura pro prozkoumání jevu difrakce, v níž byla použita vysílací dioda, clonka s kruhovými otvory a detektor. V závěrečné části se práce zabývá problematikou de-tekce výkonu v optickém svazku. Rozebrány jsou jednotlivé druhy fotodiod a uvedeny jsou jejich základní charakteristiky.
|
host ::
RSS.