|
|
Měření vlastností bipolárních a unipolárních tranzistorů
Kaňa, Leoš ; Šebesta, Jiří (oponent) ; Dřínovský, Jiří (vedoucí práce)
V rámci zefektivnění měření vlastností tranzistorů, ať už unipolárních (FET) nebo bipolárních (BJT), v laboratorních podmínkách a tím jejich lepší pochopení v rámci probírané látky, je žádoucí mít k dispozici pracoviště respektive přípravek, umožňující tato měření s obměnitelnými měřenými prvky. Práce je zaměřena nejen na návrh a vývoj takovéhoto přípravku, ale zároveň obsahuje stručný popis základních parametrů a vlastností tranzistorů. Dále se práce zabývá realizací programů pro měření statických charakteristik tranzistorů v prostředí programu VEE 8.0 Pro. Výstupem by tedy měla být komplexní laboratorní úloha zaměřená na bipolární a unipolární tranzistory včetně navržených programů. K vývoji DPS přípravku byl použit návrhový systém Eagle. V práci je samozřejmě obsažená i teorie potřebná pro měření a programování měřicích přístrojů. Kromě změny měřeného prvku je zde možnost obměny zapojení tranzistoru v obvodu a to jak pro BJT (SE, SC, SB) tak pro unipolární JFET (SS, SG, SD) tranzistory.
|
|
|
Modely tranzistorů technologie CMOS 0.35 um I3T pro PSpice
Veverka, Vojtěch ; Dvořák, Radek (oponent) ; Šotner, Roman (vedoucí práce)
Práce je zaměřena na tvorbu modelů aktivních součástek pro obvodový simulační program PSpice. Jedná se především o tvorbu modelů na základě textového popisu dostupného v knihovnách nástroje Cadence Spectre a jejich převod na modely určené pro PSpice. Cílem práce je vypracování a vyzkoušení možné a nenáročné metodiky přibližného převodu CMOS a bipolárních tranzistorů založených na technologii I3T 0.35 m. O shodě výsledků simulací provedených s použitím převedených modelů a jejich původních předloh určených pro Cadence Spectre je pojednáno dále.
|
|
|
Měření vlastností bipolárních a unipolárních tranzistorů
Kaňa, Leoš ; Šebesta, Jiří (oponent) ; Dřínovský, Jiří (vedoucí práce)
V rámci zefektivnění měření vlastností tranzistorů, ať už unipolárních (FET) nebo bipolárních (BJT), v laboratorních podmínkách a tím jejich lepší pochopení v rámci probírané látky, je žádoucí mít k dispozici pracoviště respektive přípravek, umožňující tato měření s obměnitelnými měřenými prvky. Práce je zaměřena nejen na návrh a vývoj takovéhoto přípravku, ale zároveň obsahuje stručný popis základních parametrů a vlastností tranzistorů. Dále se práce zabývá realizací programů pro měření statických charakteristik tranzistorů v prostředí programu VEE 8.0 Pro. Výstupem by tedy měla být komplexní laboratorní úloha zaměřená na bipolární a unipolární tranzistory včetně navržených programů. K vývoji DPS přípravku byl použit návrhový systém Eagle. V práci je samozřejmě obsažená i teorie potřebná pro měření a programování měřicích přístrojů. Kromě změny měřeného prvku je zde možnost obměny zapojení tranzistoru v obvodu a to jak pro BJT (SE, SC, SB) tak pro unipolární JFET (SS, SG, SD) tranzistory.
|
|
|
Modely tranzistorů technologie CMOS 0.35 um I3T pro PSpice
Veverka, Vojtěch ; Dvořák, Radek (oponent) ; Šotner, Roman (vedoucí práce)
Práce je zaměřena na tvorbu modelů aktivních součástek pro obvodový simulační program PSpice. Jedná se především o tvorbu modelů na základě textového popisu dostupného v knihovnách nástroje Cadence Spectre a jejich převod na modely určené pro PSpice. Cílem práce je vypracování a vyzkoušení možné a nenáročné metodiky přibližného převodu CMOS a bipolárních tranzistorů založených na technologii I3T 0.35 m. O shodě výsledků simulací provedených s použitím převedených modelů a jejich původních předloh určených pro Cadence Spectre je pojednáno dále.
|
host ::
RSS.